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반도체 기판을 포함하는 태양전지에 있어서,상기 반도체 기판 상부에 위치하는 금속층;상기 금속층 상부에 위치하는 금속 산화물층; 및상기 금속 산화물층 상부에 위치하는 전면전극을 포함하고,상기 금속층과 상기 반도체 기판 사이에 위치하는 금속-실리사이드 층을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 니켈(Ni), 니켈-인(Ni-P)합금, 니켈-보론(Ni-B)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 금(Au), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 금속-실리사이드 층은 상기 금속층을 제1어닐링 공정에 의해 열처리하여 형성되고,상기 제1어닐링의 공정 온도는 400 내지 1200 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물층은 제2어닐링 공정에 의해 열처리되고,상기 제2어닐링의 공정 온도는 300 내지 1200 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판 상부에 위치하고, 상기 반도체 기판과 반대 도전형을 갖는 제1반도체 층;상기 제1반도체 층 상에 위치하는 산화막; 및상기 제1반도체 층 및 상기 산화막에 위치하고, 상기 반도체 기판의 일정 영역을 노출시키는 그루브를 포함하고,상기 금속층 및 상기 금속 산화물층은 상기 그루브 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판의 후면에 위치하는 p+층 및 상기 p+층 상에 위치하는 후면전극을 더 포함하는 태양전지
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반도체 기판을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 반도체 기판 상부에 금속층을 형성하는 단계;상기 상기 금속층 상부에 금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 금속층 및 상기 금속 산화물층을 어닐링 공정에 의해 열처리하는 단계; 및상기 금속 산화물층 상부에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속층은 무전해 도금법에 의해 형성하고,상기 무전해 도금(electro-less plating)에 사용되는 금속원소는 니켈(Ni), 니켈-인(Ni-P)합금, 니켈-보론(Ni-B)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 금(Au), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 금속층을 형성하기 위한 무전해 도금법의 도금 시간은 3분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속층 및 상기 금속 산화물층을 어닐링 공정에 의해 열처리하는 단계는,상기 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 제1어닐링 공정에 의해 열처리하여, 상기 금속층과 상기 반도체 기판의 사이에 금속-실리사이드 층을 형성하고,상기 제1어닐링 공정 이후, 상기 금속층의 상부에 상기 금속 산화물층을 형성하고, 상기 금속 산화물층을 제2어닐링 공정에 의해 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1어닐링 공정의 공정 온도는 400 내지 1200 ℃이고, 상기 제2어닐링 공정의 공정 온도는 300 내지 1200 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속층 및 상기 금속 산화물층을 어닐링 공정에 의해 열처리하는 단계는,상기 금속층을 형성한 이후, 상기 금속층의 상부에 상기 금속 산화물층을 형성하고, 1회의 어닐링 공정에 의해 상기 금속층 및 상기 금속 산화물층을 동시에 열처리하는 단계이고,상기 1회의 어닐링 공정에 의해, 상기 금속층과 상기 반도체 기판의 사이에 금속-실리사이드 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 1회의 어닐링 공정의 공정 온도는 400 내지 1200 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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