요약 | 본 발명에 따른 투명 사인보드는 투명기판과, 상기 투명기판 상에 형성되며 탄소나노튜브로 이루어진 전극 패턴, 및 상기 전극 패턴에 연결 설치된 발광소자를 포함한다.투명 기판, 전극 패턴, 탄소나노튜브, 발광소자 |
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Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) G09F 13/22 (2011.01) |
CPC | G09F 13/22(2013.01) G09F 13/22(2013.01) G09F 13/22(2013.01) G09F 13/22(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070055053 (2007.06.05) |
출원인 | 한국기계연구원, (주)탑나노시스 |
등록번호/일자 | 10-0867402-0000 (2008.10.31) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20081106) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.06.05) |
심사청구항수 | 18 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | (주)탑나노시스 | 대한민국 | 충청북도 청원군 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한창수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 송진원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 윤여환 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 김준동 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 오상근 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
6 | 송경화 | 대한민국 | 경기 수원시 영통구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 팬코리아특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | (주)탑나노시스 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0410714-86 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0054596-10 |
4 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0497176-64 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.11.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5187794-62 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5271895-07 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 투명기판;상기 투명기판 상에 형성되며 탄소나노튜브로 이루어진 전극 패턴;상기 전극 패턴에 연결 설치된 발광소자;를 포함하는 투명 사인보드(signboard) |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 투명 기판과 상기 전극 패턴은 동일 표면 위에 설치된 투명 사인보드 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 전극 패턴은 10% 내지 99%의 투명도를 갖는 투명 사인보드 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 전극 패턴은 1Ω 내지 1MΩ의 표면저항을 갖는 투명 사인보드 |
5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 전극 패턴의 선폭이 1nm 내지 100㎛이하이거나 상기 전극 패턴의 두께가 1nm 내지 1 ㎛이하인 투명 사인보드 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 전극 패턴과 상기 발광소자는 도전성 접착제를 매개로 전기적으로 연결된 투명 사인보드 |
7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 발광소자는 발광 다이오드(LED; lighting emitted diode), 레이저 다이오드(Laser Diode), 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display), 유기 EL(Organic Light Emitting Diode), 전계방출소자(Filed Emission Device), 전자 페이퍼 발광소자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 투명 사인보드 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 탄소나노섬유로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이들의 혼합물로 이루어진 투명 사인보드 |
9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 표면에 도전성 물질로서 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 철(Fe), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 도전성 금속이 부착된 투명 사인보드 |
10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 표면에 도전성 물질로서 ATO(Antimony Tin oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zirconium Oxide), 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 도전성 물질이 부착된 투명 사인보드 |
11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 투명기판과 전극 패턴 사이에는 투명성을 갖는 접착층이 형성된 투명 사인보드 |
12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 투명기판과 상기 전극 패턴 사이에는 탄소나노튜브의 카르복실기와 용이하게 결합하는 기능기층이 형성되며,상기 기능기층은 아민기, 알데히드기, 수산기, 티올기 할로겐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 투명 사인보드 |
13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 전극 패턴 및 상기 발광소자가 형성된 투명기판 위에는 투명성을 갖는 충진층이 형성된 투명 사인보드 |
14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 투명기판의 위에는 투명기판과 나란하게 보조기판이 설치되고, 상기 충진층은 상기 투명기판과 보조기판 사이에 배치되는 투명 사인보드 |
15 |
15 투명기판을 준비하는 단계;상기 투명기판 상에 탄소나노튜브를 이용하여 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전극 패턴에 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 투명기판 상에 발광소자를 설치하는 단계;를 포함하는 투명 사인보드의 제조 방법 |
16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 전극 패턴에 발광소자를 연결한 이후에,상기 투명기판과 나란하게 보조기판을 설치하고,상기 투명기판과 상기 보조기판 사이에 충진층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 사인보드의 제조 방법 |
17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 투명기판을 준비하는 단계는, 상기 투명기판 상에 투명성을 갖는 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 사인보드의 제조 방법 |
18 |
18 제 15 항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계는 잉크 젯팅 방법에 의하여 이루어지는 투명 사인보드의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 과기부 | 한국기계연구원 | 21C프론티어 | 나노소재의 대량 조립공정 및 응용기술 개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-0867402-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070605 출원 번호 : 1020070055053 공고 연월일 : 20081106 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080926 청구범위의 항수 : 18 유별 : G09F 13/22 발명의 명칭 : 탄소나노튜브를 이용한 투명 사인보드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20171101 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) (주)탑나노시스 충청북도 청원군... |
1 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(의무자) (주)탑나노시스 충청북도 청원군... |
2 |
(권리자) (주)탑나노시스 충청남도 천안시 서북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 438,000 원 | 2008년 11월 03일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2011년 10월 18일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2012년 10월 31일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2013년 10월 31일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 784,000 원 | 2014년 09월 01일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 784,000 원 | 2015년 08월 25일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 784,000 원 | 2016년 08월 22일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2007.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0410714-86 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2008.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0054596-10 |
4 | 등록결정서 | 2008.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0497176-64 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.11.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5187794-62 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5271895-07 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345086156 |
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세부과제번호 | 14-2008-03-001-00 |
연구과제명 | 나노소재조립공정원천기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200804~201203 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1355049231 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-06448 |
연구과제명 | 나노소재대량조립공정및응용기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200504~200803 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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