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웨이퍼(10)의 일면에 코팅층(20)을 형성하는 단계(S100)와;상기 웨이퍼(10)에 레이저를 조사하여, 상기 코팅층(20)은 제거하고 웨이퍼(10)는 크랙을 발생시키거나, 또는, 상기 코팅층(20)은 제거하고 웨이퍼(10)의 두께 중 설정 부분은 크랙을 발생시키며 나머지 부분은 제거하는 단계(S200)와;상기 웨이퍼(10)의 레이저가공 부위에 이온 상태의 에칭액이 유도되어 에칭되도록 전기장을 인가하는 에칭단계(S300);를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 1항에 있어서,상기 코팅층(20)은 감광성 고분자(PR), 질화규소(SiN), 산화규소(SiO2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 2항에 있어서,상기 웨이퍼(10)는 실리콘, 또는 사파이어인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 3항에 있어서,상기 웨이퍼(10)가 사파이어이면, 상기 S200단계의 레이저는 웨이퍼를 투과하며 집속이 된 영역에서 비선형 흡수가 이루어지는 자외선(UV), 또는 녹색(Green) 파장이며,출력밀도는 비선형 흡수가 가능한 1012W/cm2 이상을 만족하는 15ps급 이하의 극초단 펄스급인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 3항에 있어서,상기 웨이퍼(10)가 실리콘이면, 상기 S200단계의 레이저는 웨이퍼를 투과하며 집속이 된 영역에서 비선형 흡수가 이루어지는 근적외선(NIR) 파장이고, 출력밀도는 비선형 흡수가 가능한 1012W/cm2 이상을 만족하는 15ps급 이하의 극초단 펄스급인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 3항에 있어서,상기 웨이퍼(10)가 실리콘이고, 상기 S300단계가 습식 에칭일 경우,상기 S300단계의 에칭의 주재료는 수산화 칼륨(KOH), 또는 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 3항에 있어서,상기 웨이퍼(10)가 사파이어이고, 상기 S300단계가 습식 에칭일 경우,상기 S300단계의 에칭의 주재료는 인산(H3PO4), 불산(HF), 인산과 불산을 혼합한 혼합용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 에칭방법을 포함하는 다이싱 방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 에칭방법을 포함하는 드릴링 방법
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