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환원된 산화 그래핀이 삽입된 유기 태양 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015128833
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 정공수송층으로 환원된 산화 그래핀이 삽입된 유기 태양 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 태양 전지에 관한 것으로, 구체적으로 기판 상부에 제1전극을 형성하는 단계(단계 1);단계 1의 제1전극 상부에 산화 그래핀을 적층하는 단계(단계 2);단계 2의 적층된 산화 그래핀에 100 - 300 ℃의 온도로 어닐링을 수행하여 산화 그래핀을 환원시키는 단계(단계 3);단계 3의 환원된 산화 그래핀 상부에 광활성층을 적층하는 단계(단계 4); 및 단계 4의 광활성층 상부에 제2전극을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하는 유기 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조된 유기 태양 전지는 정공추출을 위한 계면층으로서 환원된 산화 그래핀을 삽입함으로써 광전변환효율이 향상된 유기 태양 전지를 제조할 수 있고, 종래, 산화 그래핀의 열처리 환원 온도보다 낮은, 100 - 300 ℃의 온도에서 산화 그래핀을 환원시킴으로써, 유리 또는 플라스틱과 같은 유연한 기판 상부에 적층이 용이할 뿐만 아니라, 에너지 측면에서도 유리한 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/48 (2006.01) H01L 51/46 (2006.01)
CPC H01L 51/445(2013.01) H01L 51/445(2013.01) H01L 51/445(2013.01)
출원번호/일자 1020120063737 (2012.06.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1364957-0000 (2014.02.11)
공개번호/일자 10-2013-0140386 (2013.12.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.14)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 서지훈 대한민국 부산 연제구
3 류승윤 대한민국 경기 화성
4 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0473630-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033983-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0637261-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1018836-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1018838-74
7 등록결정서
Decision to grant
2014.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0094519-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라스틱 기판 상부에 제1전극을 형성하는 단계(단계 1);단계 1의 제1전극 상부에 산화 그래핀을 적층하는 단계(단계 2); 및단계 2의 적층된 산화 그래핀에 180 내지 200 ℃의 온도로 어닐링을 수행하여 산화 그래핀을 환원시키는 단계(단계 3)를 포함하는 투명전극이 구비된 유기태양전지용 기판의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 단계 1의 제1전극은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al) 및 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,단계 1의 산화 그래핀의 적층은 스핀코팅법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 기판의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 스핀코팅법은 270 - 280 mg/L 농도의 산화 그래핀 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 기판의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 스핀코팅법은 30 - 50 초 동안 4500 - 5500 rpm의 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 기판의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제1항의 제조방법에 의해 제조되는 유기태양전지용 기판
9 9
플라스틱 기판 상부에 제1전극을 형성하는 단계(단계 1);단계 1의 제1전극 상부에 산화 그래핀을 적층하는 단계(단계 2);단계 2의 적층된 산화 그래핀에 180 내지 200 ℃의 온도로 어닐링을 수행하여 산화 그래핀을 환원시키는 단계(단계 3);단계 3의 환원된 산화 그래핀 상부에 광활성층을 적층하는 단계(단계 4); 및단계 4의 광활성층 상부에 제2전극을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하는 유기 태양 전지의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서, 단계 1의 제1전극은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al) 및 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,단계 1의 산화 그래핀의 적층은 스핀코팅법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 스핀코팅법은 270 - 280 mg/L 농도의 산화 그래핀 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 스핀코팅법은 30 - 50 초 동안 4500 - 5500 rpm의 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
15 15
삭제
16 16
제9항에 있어서, 단계 4의 광활성층의 구조는 전자 억셉터 물질(A)과 전자 도너 물질(D)의 혼합박막의 1층 구조(A+D blend), 전자 억셉터 물질과 전자 도너 물질이 각각 적층된 형태의 2층 구조(A/D), 및 전자 억셉터 층과 전자 도너 층 사이에 혼합박막이 끼어 있는 3층 구조(A/(A+D)/D)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 전자 도너 물질은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
18 18
제16항에 있어서,전자 억셉터 물질은 풀러렌(fullerene; C60), [6,6]-페닐-C61-부티릭 액시트 메틸 에테르([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ether; PCBM), [6,6]-페닐-C71-부티릭 액시트 메틸 에테르([6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ether; PC70BM), 페릴렌(perylene) 및 3,4,9,10-vpflffpsxpxmfkzkqhrtlfflrqltmqpswmdlalekwhf(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole; PTCBT)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
19 19
제9항에 있어서,단계 5의 제2전극은 알루미늄(Al), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 인듐(In), 알칼리 금속, 나트륨-칼륨(Na:K) 합금, 마그네슘-은(Mg:Ag) 합금, 리튬-알루미늄(Li/Al) 이층전극, 리튬플루오라이드-알루미늄(LiF/Al) 이층전극으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
20 20
제9항의 제조방법에 의해 제조되는 유기 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 Solid carbon source를 이용한 차세대 Graphene 전극 소재 저온공정 개발