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기판;상기 기판 위에 위치하며 투명 전도층을 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층;상기 정공 주입층 위에 위치하고 전자 공여체, 전자 수용체 및 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드로 표면처리되고, 테트라포드(tetrapod) 형태인 양자점을 포함하는 광활성층; 및상기 광활성층 위에 위치하며, 상기 광활성층으로부터 LiF층과 Al 층을 순서대로 포함하는 제2 전극을 포함하되, 상기 전자 공여체와 상기 양자점의 질량비는 1:0
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제1항에 있어서,상기 투명 전도층은 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide; ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제1항에 있어서,상기 정공 주입층은 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)) / PSS(폴리(스티렌설포네이트)), MoO3, NiO 및 V2O3으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전자 공여체는 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT, Poly(3-hexylthiophene),폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](MEH-PPV, Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]),폴리[1,4(2-메톡시-5-디메틸옥틸옥시) 페닐렌비닐렌](OC1C10-PPV, Poly [1,4(2-methoxy-5-dimethyloctyloxy)phenylenevinylene]),폴리[2-메톡시-5-(3'7'디메틸옥티)-1,4-페닐렌비닐렌](MDMO-PPV, poly[2-methoxy-5-(3'7'dimethylocty)-1,4-phenylenevinylene]),폴리[N-9"-헵타디카닐-2,7-카바졸알트-5,5-(4'7'-디-2-티닐-2',1',3'-벤조티아디아졸)](PCDTBT, poly[N-9"-heptadecanyl-2,7-carbazolealt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)],폴리[[4,8-비스[(2-에틸헥실])옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6,-딜][3-플루로-2-[(2-에틸헥실)카보닐]티노[3,4-b]티오펜딜]](PTB7, poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]폴리[2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-싸이클로펜타[2,1-b;3,4-b']디티오펜)-알트-4,7-(2,1,3-벤조티아디아졸)](PCPDTBT, poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), 폴리[2,6-(4,4'-비스(2-에틸헥실)디티에노[3,2-b:2',3'-d]실올레)-알트-4,7(2,1,3-벤조티아디아졸)](PSBTBT, Poly[2,6-(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]silole)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)]), 암모늄 퍼플루오로옥탄산-3 (APFO-3, Ammonium perfluorooctanoic acid-3) 및폴리[4,7-디티오펜-2-일-벤조(1,2,5)티아디아졸-알트-디헥실-9H-플루오렌](PFTBT, poly[4,7-dithiophene-2-yl-benzo(1,2,5)thiadiazole-alt-dihexyl-9H-fluorene])으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 유기 리간드는2-티오펜아세트산(2-thiopheneacetic acid), 2-티오펜카르복시산(2-thiophene carboxylic acid) 및 2,5-티오펜디카르복시산(2,5-thiophenedicarboxylic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제1항에 있어서,상기 양자점과 상기 유기 리간드의 몰비는 1:0
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제1항에 있어서,상기 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족 칼코게나이드(chalcogenide) 화합물, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅳ족 원소 양자점, Ⅲ-Ⅴ족 화합물, PbSe, PbTe 및 PbS로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지;(상기 Ⅱ-Ⅵ족 칼코게나이드(chalcogenide) 화합물에서 Ⅱ족은 Cd 또는 Zn, Ⅵ족은 S, Se 및 Te으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고,상기 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물에서 Ⅰ족은 Cu 또는 Ag, Ⅲ족은 In 또는 Ga, Ⅵ족은 S, Se 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고,상기 Ⅳ족 양자점에서 Ⅳ족 원소는 Si, Ge 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물에서 Ⅲ족 원소는 In 또는 Ga, Ⅴ족은 P, As 및 Sb로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이다
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투명 전도층이 형성된 기판 위에 정공 주입층을 형성시키는 단계(단계 1);전자 공여체, 전자 수용체 및 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드로 표면 처리되고, 테트라포드(tetrapod) 형태인 양자점을 포함하되, 상기 전자 공여체와 상기 양자점의 질량비는 1:0
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제10항에 있어서,상기 전자 공여체는 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT, Poly(3-hexylthiophene),폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](MEH-PPV, Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]),폴리[1,4(2-메톡시-5-디메틸옥틸옥시) 페닐렌비닐렌](OC1C10-PPV, Poly [1,4(2-methoxy-5-dimethyloctyloxy)phenylenevinylene]),폴리[2-메톡시-5-(3'7'디메틸옥티)-1,4-페닐렌비닐렌](MDMO-PPV, poly[2-methoxy-5-(3'7'dimethylocty)-1,4-phenylenevinylene]),폴리[N-9"-헵타디카닐-2,7-카바졸알트-5,5-(4'7'-디-2-티닐-2',1',3'-벤조티아디아졸)](PCDTBT, poly[N-9"-heptadecanyl-2,7-carbazolealt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)],폴리[[4,8-비스[(2-에틸헥실])옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6,-딜][3-플루로-2-[(2-에틸헥실)카보닐]티노[3,4-b]티오펜딜]](PTB7, poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]폴리[2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-싸이클로펜타[2,1-b;3,4-b']디티오펜)-알트-4,7-(2,1,3-벤조티아디아졸)](PCPDTBT, poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), 폴리[2,6-(4,4'-비스(2-에틸헥실)디티에노[3,2-b:2',3'-d]실올레)-알트-4,7(2,1,3-벤조티아디아졸)](PSBTBT, Poly[2,6-(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]silole)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)]), 암모늄 퍼플루오로옥탄산-3 (APFO-3, Ammonium perfluorooctanoic acid-3) 및폴리[4,7-디티오펜-2-일-벤조(1,2,5)티아디아졸-알트-디헥실-9H-플루오렌](PFTBT, poly[4,7-dithiophene-2-yl-benzo(1,2,5)thiadiazole-alt-dihexyl-9H-fluorene])으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 리간드는 2-티오펜아세트산(2-thiopheneacetic acid), 2-티오펜카르복시산(2-thiophene carboxylic acid), 및 2,5-티오펜디카르복시산(2,5-thiophenedicarboxylic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족 칼코게나이드(chalcogenide) 화합물, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅳ족 원소 양자점, Ⅲ-Ⅴ족 화합물, PbSe, PbTe 및 PbS로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법:(상기 Ⅱ-Ⅵ족 칼코게나이드(chalcogenide) 화합물에서 Ⅱ족은 Cd 또는 Zn, Ⅵ족은 S, Se 및 Te으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고,상기 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물에서 Ⅰ족은 Cu 또는 Ag, Ⅲ족은 In 또는 Ga, Ⅵ족은 S, Se 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고,상기 Ⅳ족 양자점에서 Ⅳ족 원소는 Si, Ge 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이고, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물에서 Ⅲ족 원소는 In 또는 Ga, Ⅴ족은 P, As 및 Sb로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이다
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제10항에 있어서,상기 유기 리간드로 표면 처리된 양자점은 a) 올레산으로 표면 처리된 양자점을 유기 용매에 분산하는 단계(단계 2-1);b) 상기 양자점 분산 용액에 하기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드를 첨가하는 단계(단계 2-2); 및c) 상기 유기 리간드가 첨가된 양자점 분산 용액에 극성 용매를 도입하여 양자점을 침전시키고, 진공 건조하는 단계(2-3)를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법:『화학식 1』(상기 화학식 1에서 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 -SH, -NH2, -COOH, H, C1-6의 직쇄 또는 측쇄 알킬 및 -A-R5로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이며, 이때, 상기 A는 C1-6의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이며, R5는 -SH, -NH2 또는 -COOH이고, 상기 R1, R2, R3 및 R4 중에서 하나 이상은 -SH, -NH2, -COOH 및 -A-R5로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이다
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제15항에 있어서,상기 단계 2-2는 양자점과 유기 리간드의 몰비가 1:0
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제10항의 방법으로 제조되고, 기판;상기 기판 위에 위치하며 투명 전도층을 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층;상기 정공 주입층 위에 위치하고, 전자 공여체, 전자 수용체 및 상기 화학식 1로 표시되는 유기 리간드로 표면 처리되고, 테트라포드(tetrapod) 형태인 양자점을 포함하되, 상기 전자 공여체와 상기 양자점의 질량비는 1:0
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