맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

열전 반도체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128880
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 N형 열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체의 제조방법에 있어서, 상기 N형 열전 반도체 소자는 전기화학적 방법에 의해 전착되고, 상기 전기화학적 방법은, 기판을 작업전극으로 하여, 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하는 단계를 포함하며, 상기 액체 전해질의 조성은 XmM Bi2O3/YmM TeO2 (7.5≤X, Y≤15) 및 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 열전 반도체 소자를 전기화학적 방법에 의해 전착함으로써, 고온 및 고압에 의한 열전 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있으며, 액체 전해질의 조성으로 계면활성제를 더 포함함으로써, 열전 반도체의 성능 지수를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/12 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020130073704 (2013.06.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1472436-0000 (2014.12.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.26)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임재홍 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 이규환 대한민국 경남 창원시 성산구
3 이주열 대한민국 경상남도 김해시
4 임동찬 대한민국 서울 양천구
5 유인준 대한민국 경북 경주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0572847-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0038617-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0434917-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0805614-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0805602-66
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0820484-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형 열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체의 제조방법에 있어서,상기 N형 열전 반도체 소자는 전기화학적 방법에 의해 전착되고,상기 전기화학적 방법은, 기판을 작업전극으로 하여, 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하는 단계를 포함하며,상기 액체 전해질의 조성은 XmM Bi2O3/YmM TeO2 (7
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전착된 열전 반도체 소자를 열처리하는 단계를 포함하는 열전 반도체의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 열처리의 온도는 100 내지 500℃의 인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전기화학적 방법은, 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하는 단계 이후, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것인 열전 반도체의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 계면 활성제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제 또는 비이온성 계면 활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 양이온성 계면활성제는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)이고, 상기 음이온 계면활성제는 SDS(sodium dodecyl sulphate)이며, 상기 비이온성 계면 활성제는 Triton X-100 (octylphenolpoly(ethyleneglycolether)인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 액체전해질은 Ag, Cu, Pb, Sn 및 Ge로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 KAL사업 - 전기화학법에 의한 나노소재 합성 및 응용기술(1/2)
2 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 갈바니치환법에 의한 열전 나노소재 합성 및 열전소자 개발(2/3)