| 1 |
1
방전가스를 공급하는 가스 공급부;바이폴라 전압을 공급하는 전원 공급부; 및상기 전원 공급부에서 제1 전극과 제2 전극에 각각 인가되는 제1 전압과 제2 전압의 차이로 설정되는 제1 전압차에 의한 제1 전기장으로 방전을 일으켜 방전가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생기를 포함하며,상기 플라즈마 발생기는상기 제2 전압과 대상물의 표면에 인가되는 제3 전압의 차이로 상기 제2 전극과 상기 대상물의 표면 사이에 설정되는 제2 전압차에 의한 제2 전기장으로 플라즈마를 대상물의 표면으로 유도하는 플라즈마 표면 처리장치
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 전원 공급부는,양의 전압을 가지는 상기 제1 전압을 공급하는 양극 단자와음의 전압을 가지는 상기 제2 전압을 공급하는 음극 단자를 포함하는 플라즈마 표면 처리장치
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 제3 전압은,상기 제1 전압과 상기 제2 전압 사이의 전압으로 설정되는 플라즈마 표면 처리장치
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는,상기 제1 전극을 상기 양극 단자에 연결하고,상기 제2 전극을 상기 음극 단자에 연결하며,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은,플라즈마 가스가 유동하는 유동 통로의 양측에 구비되어 간격을 두고 서로 마주하는 플라즈마 표면 처리장치
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 수용하는 하우징과,상기 하우징 내에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 덮어 상기 유동 통로를 형성하는 유전층을 더 포함하는 플라즈마 표면 처리장치
|
| 6 |
6
플라즈마 발생기의 제1 전극과 제2 전극에 제1 전압과 제2 전압을 각각 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 전압차를 설정하는 제1 단계;상기 제1 전압차에 의한 제1 전기장으로 방전을 일으켜 공급되는 방전가스로부터 제1 플라즈마를 발생시키는 제2 단계;상기 제2 전압과 대상물의 표면에 인가되는 제3 전압의 차이로 상기 제2 전극과 상기 대상물의 표면 사이에 제2 전압차를 설정하는 제3 단계; 및상기 제2 전압차에 의한 제2 전기장으로 제1 플라즈마에서 제어된 제2 플라즈마를 대상물의 표면으로 유도하는 제4 단계를 포함하는 플라즈마 표면 처리방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제1 단계는,상기 제1 전압으로 양의 전압을 인가하고 상기 제2 전압으로 음의 전압을 인가하며,상기 제3 단계는,상기 제3 전압으로 접지하는 플라즈마 표면 처리방법
|
