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에어로졸 증착법을 이용하여 제조된 치밀한 상온 전도성후막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128976
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 산화물 원료 분말을 밀링으로 혼합한 후 하소(calcining)하여 제조된 전도성 산화물을 재밀링하여 전도성 산화물을 얻고, 이를 기판상에 에어로졸 증착법으로 증착시켜 전도성 산화물 후막을 제조하는 방법 및 상기 제조방법에 의한 전도성 산화물 후막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 에어로졸 증착법에 의하여 매우 치밀한 전도성 산화물층을 얻을 수 있고, 상온 공정으로 인해 상변화를 방지하여 뛰어난 전기 전도 특성을 가지며, 금속 기판에 증착시킬 경우 금속 기판의 산화 및 내부식 방지에 우수한 효과를 가지므로 금속 기판상에 강유전 후막 증착시 금속 기판의 산화 방지 및 확산 방지막으로 유용하게 사용될 수 있으며, 또한 세라믹산화물의 뛰어난 내부식성을 이용하여 고체고분자 연료전지(PEMFC)의 금속재료 접속자의 장기사용안정성을 높이는 데에 유용하게 사용할 수 있다. 에어로졸 증착법, 상온 전도성 산화물, 내산화성, 내부식성
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02263(2013.01) H01L 21/02263(2013.01) H01L 21/02263(2013.01)
출원번호/일자 1020070130938 (2007.12.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0941472-0000 (2010.02.02)
공개번호/일자 10-2009-0063541 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종진 대한민국 부산 동래구
2 박동수 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0900653-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002636-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0303392-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0477576-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0477578-34
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0449980-21
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0677935-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0677939-59
10 등록결정서
Decision to grant
2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0041050-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
란탄 산화물 또는 란탄 산염 수화물 및 니켈 산화물 또는 니켈 산염 수화물인 전도성 산화물 원료 분말을 밀링으로 혼합한 후 하소(calcining)하여 전도성 산화물을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 전도성 산화물을 재밀링하여 전도성 산화물 분말을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 전도성 산화물 분말을 기판상에 에어로졸 증착법으로 증착하는 단계(단계 3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 3에 의해 형성된 후막이 증착된 기판을 300~700 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 원료 분말은 1:1의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 원료 분말의 하소는 600~900 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 전도성 산화물 분말의 평균 입경은 0
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 3의 기판은 사파이어, 실리콘, 지르코니아, 티타늄 및 스테인레스 스틸로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 3의 에어로졸 증착은 100~500 m/s로 분말을 가속시킴에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 3의 에어로졸 증착에 의하여 형성된 후막의 두께는 1~50 ㎛인 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착법을 이용한 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
10 10
제 1항 , 제 2항, 및 제 4항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 치밀한 상온 전도성 산화물 후막
11 11
제 1항에 있어서, 상기 란탄 산화물은 La2O3인 것을 특징으로 하는 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 란탄 산염 수화물은 La(CH3COO)3·6H2O 또는 La(NO3)3·6H2O인 것을 특징으로 하는 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 니켈 산화물은 NiO인 것을 특징으로 하는 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 니켈 산염 수화물은 Ni(NO3)4·6H2O인 것을 특징으로 하는 치밀한 상온 전도성 산화물 후막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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