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발광다이오드의 제조방법

기술번호 : KST2015128985
담당센터 : 부산기술혁신센터
전화번호 : 051-606-6561

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 베이스 기판의 상부에 N형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 N형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 P형 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 P형 반도체층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 상부 전극층은 다수의 나노 로드층을 포함하고, 상기 다수의 나노 로드층은 전기화학적 방법에 의해 전착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 나노 로드층을 통해 임계각을 증가시켜 광추출 효율을 증대시키고, 상기 나노 로드층을 전기화학적 방법을 통해 형성함으로써, 반도체층의 손상을 방지하여, 내부 양자 효율이 우수한 발광다이오드를 제공할 수 있다.
Int. CL	H01L 33/36 (2014.01)
CPC	H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자	1020100136267 (2010.12.28)
출원인	한국기계연구원
등록번호/일자	10-1239848-0000 (2013.02.27)
공개번호/일자	10-2012-0074438 (2012.07.06) 문서열기
공고번호/일자	(20130306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.12.28)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국기계연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	임재홍	대한민국	경상남도 창원시 성산구
2	이규환	대한민국	경상남도 창원시
3	임동찬	대한민국	서울특별시 양천구
4	박미영	대한민국	부산광역시 부산진구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인가산	대한민국	서울 서초구 남부순환로 ***, 층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국기계연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2010-0865734-20
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.04.08	수리 (Accepted)	4-1-2011-5069914-14
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.04.08	수리 (Accepted)	4-1-2011-5069919-31
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.11.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.12.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0097569-22
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.01.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0010446-82
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0182854-94
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0182842-46
9	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2012.08.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0497856-20
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.10.29	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2012-0883323-60
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0883309-20
12	등록결정서 Decision to grant	2013.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0114956-06
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.11.28	수리 (Accepted)	4-1-2017-5193093-72

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판의 상부에 N형 반도체층을 형성하는 단계;상기 N형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 P형 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 P형 반도체층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 전극층은 다수의 나노 로드층을 포함하고, 상기 다수의 나노 로드층은 전기화학적 방법에 의해 전착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드층은 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 또는 인듐-아연계 산화물(IZO)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극층은 P형 반도체층 상에 위치하는 오믹 접촉층을 더 포함하고, 상기 다수의 나노 로드층은 상기 오믹 접촉층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드층은 Ni, Sn, In, Ga, Al, Cu, 또는 Zn의 금속 또는 금속산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드층은 10 내지 10,000nm의 두께인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
6	6 제 3 항에 있어서,상기 오믹 접촉층은 Ni, Pt, Au, Mn, Fe, Co, Cr, Cu, Sn, Ag, 및 Pd으으로 이루어진 금속 또는 이들의 금속 산화물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
7	7 제 3 항에 있어서,상기 오믹 접촉층은 200Å 이하의 두께인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극층의 상부 일정 영역에 위치하는 P형 전극패드를 더 포함하는 발광다이오드의 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 N형 반도체층의 상면의 일부 영역은 상기 활성층과 접합되고, 상기 N형 반도체층의 상면의 나머지 일부 영역은 외부로 노출되며,상기 노출된 N형 반도체층의 상부의 일정 영역에 N형 전극패드를 더 포함하는 발광다이오드의 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 전기화학적 방법은, 상기 기판을 작업전극으로 하여, 상기 다수의 나노 로드층을 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하고, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것인 발광다이오드의 제조방법
11	11 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 발광셀을 형성하는 단계; 및상기 N형 반도체층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 전극층은 다수의 나노 로드층을 포함하고, 상기 다수의 나노 로드층은 전기화학적 방법에 의해 전착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드층은 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 또는 인듐-아연계 산화물(IZO)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
13	13 제 11 항에 있어서,상기 상부 전극층은 N형 반도체층 상에 위치하는 오믹 접촉층을 더 포함하고, 상기 다수의 나노 로드층은 상기 오믹 접촉층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
14	14 제 11 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드층은 Ni, Sn, In, Ga, Al, Cu, 또는 Zn의 금속 또는 금속산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
15	15 제 13 항에 있어서,상기 오믹 접촉층은 Ti, Ga, In, Cr, W, Zn, 및 Co으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
16	16 제 11 항에 있어서,상기 발광셀을 형성하는 단계는,베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판의 상부에 N형 반도체층을 형성하는 단계;상기 N형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 P형 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 발광셀을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하며,상기 P형 반도체층의 하부에 하부 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드의 제조방법
17	17 삭제

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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1239848-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20101228 출원 번호 : 1020100136267 공고 연월일 : 20130306 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130220 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 발광다이오드의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2013년 02월 28일	납입
제 4 년분	금 액	392,000 원	2015년 12월 09일	납입
제 5 년분	금 액	392,000 원	2016년 12월 07일	납입
제 6 년분	금 액	274,400 원	2017년 12월 18일	납입
제 7 년분	금 액	354,000 원	2018년 12월 11일	납입
제 8 년분	금 액	354,000 원	2019년 12월 10일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2010-0865734-20
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.04.08	수리 (Accepted)	4-1-2011-5069914-14
3	출원인정보변경(경정)신고서	2011.04.08	수리 (Accepted)	4-1-2011-5069919-31
4	선행기술조사의뢰서	2011.11.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2011.12.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0097569-22
6	의견제출통지서	2012.01.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0010446-82
7	[명세서등 보정]보정서	2012.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0182854-94
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0182842-46
9	최후의견제출통지서	2012.08.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0497856-20
10	[명세서등 보정]보정서	2012.10.29	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2012-0883323-60
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0883309-20
12	등록결정서	2013.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0114956-06
13	출원인정보변경(경정)신고서	2017.11.28	수리 (Accepted)	4-1-2017-5193093-72


과제고유번호	1711008501
세부과제번호	PNK3280
연구과제명	습식공정 기반 고효율 Hybrid 광활성 핵심소재기술 개발
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201201~201412
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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