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열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체의 제조방법에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 전기화학적 방법에 의해 전착되고,상기 전기화학적 방법은, 기판을 작업전극으로 하여, 상기 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하고, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것이며,상기 액체 전해질은 계면 활성제를 더 포함하고,상기 계면 활성제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제 또는 비이온성 계면 활성제를 포함하며,상기 양이온성 계면활성제는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 5B족인 비스무트(Bi) 및 안티몬(Sb)으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 원소와, 6B족인 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 원소로 이루어진 복합 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 작업전극은 실리콘 기판 상에 스퍼터링 방법에 의해 Ni/Au를 적층한 구조의 금속전극을 형성한 기판인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 액체 전해질은 P형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질 또는 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질을 포함하고,상기 P형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질의 조성 및 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질의 조성은 양이온성 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 액체전해질은 Ag, Cu, Pb, Sn 및 Ge로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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