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고분자 물질을 포함하는 금속 나노입자 잉크를 공급하는 금속 나노잉크 공급부, 베이스 기판을 공급하는 기판 공급부, 및 전극을 형성하는 전극 형성부를 포함하며, 상기 전극 형성부는, 상기 베이스 기판 상에 상기 금속 나노입자 잉크로 금속 패턴을 형성하는 금속패턴 형성 유닛; 상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 고분자 물질만 세척하고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 고분자 물질을 세척하지 않고 잔류시키는 세척 유닛; 및 상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성하는 저온소결 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자 잉크는, 표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화하여 형성된 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제2항에 있어서, 상기 세척 유닛은, 세척액이 담겨진 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제2항에 있어서, 상기 세척 유닛은, 딥핑(dipping), 초음파 세척, 훨링(whirling) 중 적어도 하나 이상의 세척 방법을 수행하는 적어도 하나 이상의 린스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제2항에 있어서, 상기 고분자 물질의 세척액은 아세톤(acetone)과 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 혼합액인 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제2항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은(Ag) 나노입자이며, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)인 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 저온소결 유닛은, 상기 금속 패턴이 형성된 베이스 기판을 80~180도 범위의 온도에서 가열하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 전극 형성부는, 상기 금속 패턴의 세척 전에 상기 금속 패턴에 포함된 용매를 증발시키는 후처리 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조장치
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