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베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부에 위치하는 N형 반도체층;상기 N형 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 P형 반도체층; 및상기 P형 반도체층 상에 위치하는 상부 전극층을 포함하며,상기 상부 전극층은 각각이 분리된 다수의 투명 전극패턴을 포함하고,상기 상부 전극층은 P형 반도체층 상에 위치하는 오믹 접촉층을 더 포함하고, 상기 다수의 투명 전극패턴은 상기 오믹 접촉층 상에 위치하며,상기 오믹 접촉층은 Ni, Mn, Fe, Co, Cr, Cu, Sn, Ag, 및 Pd으로 이루어진 금속에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 투명 전극패턴은 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 또는 인듐-아연계 산화물(IZO)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 투명 전극패턴의 패턴면은 거칠기를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극패턴은 10 내지 10,000nm의 두께인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 접촉층은 200Å이하의 두께인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 상부 전극층의 상부 일정 영역에 위치하는 P형 전극패드를 더 포함하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 N형 반도체층의 상면의 일부 영역은 상기 활성층과 접합되고, 상기 N형 반도체층의 상면의 나머지 일부 영역은 외부로 노출되며,상기 노출된 N형 반도체층의 상부의 일정 영역에 N형 전극패드를 더 포함하는 발광다이오드
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베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판의 상부에 N형 반도체층을 형성하는 단계;상기 N형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 P형 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 P형 반도체층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 전극층은 각각이 분리된 다수의 투명 전극패턴을 포함하고, 상기 다수의 투명 전극패턴은 습식 식각에 의해 패턴되고,상기 상부 전극층은 P형 반도체층 상에 위치하는 오믹 접촉층을 더 포함하고, 상기 다수의 투명 전극패턴은 상기 오믹 접촉층 상에 위치하며,상기 오믹 접촉층은 Ni, Mn, Fe, Co, Cr, Cu, Sn, Ag, 및 Pd으로 이루어진 금속에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 다수의 투명 전극패턴은 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 또는 인듐-아연계 산화물(IZO)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 다수의 투명 전극패턴의 패턴면은 거칠기를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 다수의 투명 전극패턴을 습식 식각에 의해 패턴하는 것은,상기 오믹 접촉층 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 습식 식각에 의해 패턴하는 것인 발광다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 습식 식각은 BOE (buffered oxide etchant), NH4OH, H3PO4, HCl 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 수용액을 이용하며, 상온에서 100℃ 사이의 온도에서 식각하는 것인 발광다이오드의 제조방법
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