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베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 형성되고, 형성하고자 하는 프로브 핀의 형상에 대응하는 트렌치;상기 트렌치의 표면 상부에 형성된 산화막; 및상기 산화막의 상부에 형성된 자기 조립 단분자 패턴을 포함하는 몰드용 기판
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 더 포함하며,상기 트렌치는 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되어 있는 베이스 기판을 식각하여 형성된 몰드용 기판
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 실리콘 웨이퍼이고, 상기 산화막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 몰드용 기판
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제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 유기 원자와 무기 원자의 화학적 결합에 의해 형성된 유-무기 하이브리드형의 분자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드용 기판
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제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 알콕시 실란을 구비하는 유-무기 하이브리형의 분자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드용 기판
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제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드용 기판
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베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판 상에 형성하고자 하는 프로브 핀의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 표면 상부에 산화막을 형성하는 단계; 및상기 산화막의 상부에 자기 조립 단분자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 베이스 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되어 있는 상기 베이스 기판을 식각하여 상기 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 이형 금속층은 Pd, Ni, Rh로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 이형 금속층의 상부에 도금 공정을 수행하여 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 도금 공정은 Ni 또는 NiCo, NiFe 또는 NiW의 Ni 합금을 도금하는 공정인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 도금층을 포함하는 베이스 기판을 냉각하여, 상기 이형 금속층이 상기 자기조립 단분자 패턴으로부터 이형되어 상호 분리되거나,상기 도금층을 포함하는 베이스 기판을 초음파 조에 함침시켜, 초음파를 인가하고, 상기 초음파에 의해 발생된 기포가 상기 이형 금속층의 표면에 흡착되어 폭발함으로써, 상기 이형 금속층이 상기 자기조립 단분자 패턴으로부터 이형되어 상호 분리되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 분리 공정에 의해, 상기 이형 금속층 및 상기 도금층을 포함하는 프로브 핀을 제조하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 분리 공정에 의해, 상기 베이스 기판의 상기 트렌치의 표면에 형성된 상기 산화막 및 상기 산화막의 상부에 형성된 상기 자기 조립 단분자 패턴을 포함하는 몰드용 기판을 형성하고, 상기 몰드용 기판은 재사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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