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제1도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 준비하는 준비 단계;상기 기판 일면에 나노은입자를 포함하는 콜로이드 서스펜션을 코팅하는 코팅 단계;상기 콜로이드 서스펜션에 포함된 나노은입자가 서로 격리된 나노은섬(nano islands)을 형성하도록 열처리하는 열처리 단계;상기 나노은섬을 마스크로 하여 이온반응식각(RIE)에 의해 상기 기판을 식각하는 텍스처링 단계;상기 기판의 식각면에 상기 제1도전형과 반대인 제2도전형 불순물을 주입하여 에미터층을 형성하는 확산 단계;상기 기판 양면에 각각 전극을 형성하는 전극형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 텍스처링 단계를 반복 수행하며, 상기 텍스처링 단계 사이에 상기 기판을 냉각시키는 냉각 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제2항에 있어서,상기 텍스처링 단계를 2회 내지 10회 반복하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계는,상기 기판상에 코팅되어 아직 젖어 있는 상기 콜로이드 서스펜션의 얇은 막에서 용매의 디웨팅 현상을 통해 여러 개의 콜로이드 덩어리를 형성하도록 150~200℃에서 열처리하는 디웨팅 단계;상기 디웨팅 단계를 수행한 후 상기 콜로이드 서스펜션의 용매가 증발하고, 나노은입자가 소결되면서 격리되는 동시에 성장해가며 표면에너지가 낮은 상태인 나노은섬을 형성하도록 200~250℃에서 열처리하는 성장 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 코팅단계는 상기 콜로이드 서스펜션이 스핀코팅(spin-coating) 되는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노은섬은 직경이 20~300㎚인 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노은입자는 무극성용매에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노은입자는 극성용매에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노은입자는 극성용매에 이온화되어 있는 것을 특징으로 하는 나노구조 텍스처링을 이용한 태양전지 제조방법
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