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플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치 및 이를 이용한 고속 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015129054
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치 및 이를 이용한 고속 증착 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼트링을 이용한 고속 증착 장치는, 전기 전도체로 이루어지면서 내부 공간의 유체를 외부 공간으로 배출하는 배출구를 가지는 제1챔버; 상기 제1챔버와 연통하도록 형성되고, 상기 제1챔버의 내부로 보조 플라즈마를 공급하는 소스공급부가 위치하는 제2챔버; 상기 제1챔버의 내부에 위치하여 표면 처리되는 기재; 상기 기재와 마주보는 위치에 위치하고, 상기 기재 표면의 활성화를 위한 자기장을 형성하는 자기장발생부; 상기 제1챔버의 외부에 위치하여 상기 소스공급부에서 공급되는 보조 플라즈마가 상기 자기장발생부 방향으로 이동하도록 안내하는 제1코일; 및 상기 제2챔버와 동일 축방향을 가지도록 상기 제2챔버의 외면에 감기는 제2코일; 을 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 표적 재료의 사용 효율이 향상되는 장점과 기재에 증착하는 증착 속도가 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
Int. CL C23C 14/22 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01)
출원번호/일자 1020100122597 (2010.12.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0061322 (2012.06.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도근 대한민국 경상남도 창원시
2 김종국 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 이승훈 대한민국 서울특별시 성동구
4 강재욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 남기석 대한민국 경상남도 창원시 의창구
6 나종주 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 권정대 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0798007-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088600-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0332455-56
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0624649-86
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0724297-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0724290-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0735686-82
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.01.03 수리 (Accepted) 7-1-2013-0000230-21
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0101144-09
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0101129-13
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0149417-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기 전도체로 이루어지면서 내부 공간의 유체를 외부 공간으로 배출하는 배출구를 가지는 제1챔버;상기 제1챔버와 연통하도록 형성되고, 상기 제1챔버의 내부로 고전류 저전압 방전 플라즈마를 공급하는 소스공급부가 위치하는 제2챔버;상기 제1챔버의 내부에 위치하여 표면 처리되는 기재;상기 기재와 마주보는 위치에 위치하고, 상기 기재 표면의 활성화를 위한 자기장을 형성하는 자기장발생부;상기 제1챔버의 외부에 위치하여 상기 소스공급부에서 공급되는 고전류 저전압 방전 플라즈마가 상기 자기장발생부 방향으로 이동하도록 안내하는 제1코일;상기 제2챔버와 동일 축방향을 가지도록 상기 제2챔버의 외면에 감기는 제2코일; 을 포함하여 구성되는 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 보조 스퍼터링 소스는 고전류 저전압 방전기를 이용한 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소스공급부에는 탄탈륨 음극튜브와 구리 공동 양극이 직류 전원에 연결되는 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 자기장발생부의 표면은 음극의 전기적 성질을 가지는 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 자기장발생부의 표면에는 상기 소스공급부에서 공급되는 플라즈마에 의해 활성화되는 표적재료층이 형성되는 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 소스공급부는 상기 기재와 상기 자기장발생부를 잇는 가상의 선과 교차하는 방향에 위치하는 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
7 7
전기전도체로 형성되는 제1챔버의 내부 공간에 표면 처리를 위한 기재와 상기 기재의 표면에 표면 처리되는 물질인 표적재료가 서로 마주보게 위치시키고, 상기 제1챔버의 내부 공간으로 자기장을 발생시켜 상기 표적재료의 이온화를 유발하는 제1단계; 상기 표적재료의 이온화를 위하여 상기 제1챔버로 고전류 저전압 방전 플라즈마를 발산하는 제2단계; 상기 자기장을 발생시키는 방향의 상기 제1챔버 외부 공간에 상기 보조 플라즈마가 상기 자기장이 발생하는 측면의 외부에 위치하는 제1코일에 의해 형성되는 자기장에 의해 안내되면서 상기 표적재료의 표면으로 유동하는 제3단계; 및 상기 표적재료의 표면에서 이온화된 이온이 상기 기재의 표면으로 이동하여 증착되는 제4단계; 를 포함하여 구성되는 플라즈마 보조 마그네트론 스퍼터링을 이용한 고속 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 소재원천기술개발사업 나노표면 다차 구조제어 융복합 공정시스템 기술개발(2/4)