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공구 및 전극을 전해액에 수장하는 단계;상기 공구 및 상기 전극에 전원인가부로부터 전압을 인가하는 단계; 및상기 공구를 반도체 기판에 접촉시켜 상기 반도체 기판을 용해하는 단계;를 포함하고,상기 반도체 기판은 양극이고, 상기 공구는 음극인 것을 특징으로 하는 태양전지의 그루브 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 전해액은 수산화칼륨, 수산화마그네슘, 수산화나트륨, 수산화칼슘을 포함하는 염기성 수용액인 것을 특징으로 하는 태양전지의 그루브 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 수평 또는 수직방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 그루브 형성방법
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 전면에 n형 불순물을 확산시켜 n+ 층을 형성하는 단계;상기 n+ 층 상에 산화막을 형성하는 단계;전기-화학적 식각공정을 이용하여, 상기 기판 전면 내로 그루브를 형성하는 단계; 및상기 그루브 내에 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전기-화학적 식각공정은,공구 및 전극을 전해액에 수장하는 단계;상기 공구 및 상기 전극에 전원인가부로부터 전압을 인가하는 단계; 및상기 공구를 상기 기판에 접촉시켜 상기 기판을 용해하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 양극이고, 상기 공구는 음극인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 기판을 텍스처링하여, 상기 기판의 전면과 후면에 피라미드 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 기판의 후면에 p형 불순물을 확산시켜 p+ 층을 형성하는 단계; 및상기 p+층 상부에 후면전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 기판은 수평 또는 수직방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 그루브의 식각라인의 폭은 1㎛ 내지 300㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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12
제 5 항에 있어서,상기 그루브의 식각라인의 깊이는 1nm 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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