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투명한 기판;상기 기판 상에 위치하며 일정한 두께의 베이스층 및 상기 베이스층의 일면에 돌출 형성된 복수의 광 결정(photonic crystal) 구조를 포함하는 금속산화물 패턴층;상기 금속산화물 패턴층 상에 형성된 투명한 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성된 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하며 금속으로 형성된 제2 전극층을 포함하고,상기 금속산화물 패턴층은 상기 기판을 향한 일면과 상기 제1 전극층을 향한 일면 중 어느 일면에 상기 금속산화물 패턴층보다 작은 굴절률을 가진 저굴절률층과 접하는 유기발광 디스플레이
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제1항에 있어서,상기 베이스층은 상기 기판과 접하며,상기 저굴절률층은 상기 광 결정 구조들 사이를 채워 평탄한 표면을 형성하는 충진층으로 이루어지는 유기발광 디스플레이
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제2항에 있어서,상기 충진층은 상기 광 결정 구조의 높이보다 큰 두께로 형성되고,상기 제1 전극층은 상기 충진층과 접하는 유기발광 디스플레이
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제2항에 있어서,상기 금속산화물 패턴층은 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y2O3), 및 산화스트론튬(SrO) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 충진층은 실리콘산화물(SiO2)과 스핀-온-글라스(SOG) 물질 중 어느 하나를 포함하는 유기발광 디스플레이
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제1항에 있어서,상기 베이스층은 상기 기판과 접하며,상기 저굴절률층은 상기 광 결정 구조들 사이에 위치하는 공기층으로 이루어지는 유기발광 디스플레이
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제5항에 있어서,상기 제1 전극층은 상기 광 결정 구조와 접하는 유기발광 디스플레이
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제6항에 있어서,상기 제1 전극층은 전사용 기판 위에 형성된 후 전사 인쇄법으로 상기 금속산화물 패턴 상에 전이된 것인 유기발광 디스플레이
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제5항에 있어서,상기 금속산화물 패턴층은 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y2O3), 및 산화스트론튬(SrO) 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 디스플레이
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제5항에 있어서,상기 광 결정 구조들과 접하며 상기 금속산화물 패턴층과 상기 제1 전극층 사이에 위치하는 투명 필름을 더 포함하는 유기발광 디스플레이
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제9항에 있어서,상기 투명 필름은 전사용 기판 위에 형성된 후 전사 인쇄법으로 상기 금속산화물 패턴 상에 전이된 것이며,상기 제1 전극층은 상기 투명 필름 상에 진공 증착으로 형성된 유기발광 디스플레이
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제9항에 있어서,상기 투명 필름은 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y2O3), 및 산화스트론튬(SrO), 실리콘산화물(SiO2), 및 스핀-온-글라스(SOG) 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 디스플레이
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제1항에 있어서,상기 베이스층은 상기 제1 전극층과 접하고, 상기 광 결정 구조들은 상기 기판과 접하며,상기 저굴절률층은 상기 광 결정 구조들 사이에 위치하는 공기층으로 이루어지는 유기발광 디스플레이
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제12항에 있어서,상기 금속산화물 패턴층은 전사용 기판 위에 형성된 후 전사 인쇄법으로 상기 기판 상에 전이된 것인 유기발광 디스플레이
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제12항에 있어서,상기 금속산화물 패턴층은 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y2O3), 및 산화스트론튬(SrO) 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 디스플레이
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제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 결정 구조는 원기둥, 다각형 기둥, 원뿔, 및 피라미드 중 어느 하나의 모양으로 형성되며, 사각 격자와 삼각 격자 중 어느 하나의 모양으로 배열되는 유기발광 디스플레이
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기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하여 코팅층을 형성하는 단계;임프린트 패턴이 형성된 임프린트 몰드를 이용하여 상기 코팅층을 가압하는 단계;가압된 상기 코팅층에 열을 가하거나 열과 자외선을 동시에 인가하여 상기 코팅층을 경화시키고, 상기 임프린트 몰드를 제거하여 복수의 광 결정 구조를 가지는 금속산화물 패턴층을 형성하는 단계;상기 광 결정 구조들 사이를 충진 물질로 채워 상기 금속산화물 패턴층 상에 상기 금속산화물 패턴층보다 작은 굴절률을 가진 충진층을 형성하는 단계; 및상기 충진층 상에 투명한 제1 금속층, 유기 발광층, 및 금속을 포함하는 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 충진층을 형성하는 단계에서 실리콘산화물(SiO2)을 진공 증착 또는 실리콘 나노입자를 분사 또는 스핀 코팅 후 경화시키거나, 스핀-온-글라스(SOG) 물질을 스핀 코팅 후 경화시키는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하여 코팅층을 형성하는 단계;임프린트 패턴이 형성된 임프린트 몰드를 이용하여 상기 코팅층을 가압하는 단계;가압된 상기 코팅층에 열을 가하거나 열과 자외선을 동시에 인가하여 상기 코팅층을 경화시키고, 상기 임프린트 몰드를 제거하여 복수의 광 결정 구조를 가지는 금속산화물 패턴층을 형성하는 단계;전사용 기판 상에 투명 전도성 산화물을 증착하여 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 금속산화물 패턴층 상에 상기 제1 전극층과 상기 전사용 기판을 적층하고, 상기 전사용 기판을 가압하여 상기 광 결정 구조들 위로 상기 제1 전극층을 전사하는 단계; 및상기 제1 전극층 상에 유기 발광층과, 금속을 포함하는 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 전사용 기판을 가압 후 상기 금속산화물 패턴층과 상기 제1 전극층의 접착력은 상기 제1 전극층과 상기 전사용 기판의 접착력보다 큰 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 전사용 기판은 폴리디메틸실록산(PMDS) 기판, 폴리우레탄 아크릴레이트(PUA) 기판, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 기판, 실리콘 웨이퍼, 및 금속 기판 중 어느 하나로 형성되는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하여 코팅층을 형성하는 단계;임프린트 패턴이 형성된 임프린트 몰드를 이용하여 상기 코팅층을 가압하는 단계;가압된 상기 코팅층에 열을 가하거나 열과 자외선을 동시에 인가하여 상기 코팅층을 경화시키고, 상기 임프린트 몰드를 제거하여 복수의 광 결정 구조를 가지는 금속산화물 패턴층을 형성하는 단계;전사용 기판 상에 투명 필름을 형성하는 단계;상기 금속산화물 패턴층 상에 상기 투명 필름과 상기 전사용 기판을 적층하고, 상기 전사용 기판을 가압하여 상기 광 결정 구조들 위로 상기 투명 필름을 전사하는 단계;상기 투명 필름 상에 투명 전도성 산화물을 진공 증착하여 제1 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극층 상에 유기 발광층과, 금속을 포함하는 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 투명 필름을 형성하는 단계에서 상기 전사용 기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하고, 열을 가하거나 열과 자외선을 동시에 인가하여 상기 용액을 경화시키고, 소성하여 금속산화물로 이루어진 투명 필름을 형성하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 투명 필름을 형성하는 단계에서 실리콘산화물(SiO2)을 진공 증착 또는 실리콘 나노입자를 분사 또는 스핀 코팅 후 경화시키거나, 스핀-온-글라스(SOG) 물질을 스핀 코팅 후 경화시키는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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전사용 기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하여 코팅층을 형성하는 단계;임프린트 패턴이 형성된 임프린트 몰드를 이용하여 상기 코팅층을 가압하는 단계;가압된 상기 코팅층에 열을 가하거나 열과 자외선을 동시에 인가하여 상기 코팅층을 경화시키고, 상기 임프린트 몰드를 제거하여 복수의 광 결정 구조를 가지는 금속산화물 패턴층을 형성하는 단계;투명한 기판을 준비하고, 상기 광 결정 구조들이 상기 기판과 접하도록 상기 기판 상에 상기 금속산화물 패턴층과 상기 전사용 기판을 적층하고, 상기 전사용 기판을 가압하여 상기 기판 위로 상기 금속산화물 패턴층을 전사하는 단계; 및상기 금속산화물 패턴층 상에 투명한 제1 금속층, 유기 발광층, 및 금속을 포함하는 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제24항에 있어서,상기 전사용 기판을 가압 후 상기 기판과 상기 금속산화물 패턴층의 접착력은 상기 금속산화물 패턴층과 상기 전사용 기판의 접착력보다 큰 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제25항에 있어서,상기 전사용 기판은 폴리디메틸실록산(PMDS) 기판, 폴리우레탄 아크릴레이트(PUA) 기판, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 기판, 실리콘 웨이퍼, 및 금속 기판 중 어느 하나로 형성되는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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제16항, 제18항, 제21항, 및 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅층을 형성한 다음 베이킹(baking)하는 단계와, 상기 코팅층을 경화시킨 후 소성하는 단계를 더 포함하는 유기발광 디스플레이의 제조 방법
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