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기판 상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 폴리머층을 플라즈마 처리하여, 상기 폴리머층의 분자들의 결합부분 또는 상기 폴리머층의 클러스터들의 결합부분을 우선 식각하여, 상기 폴리머층을 관통하는 복수의 홀들을 형성하는 단계; 및상기 폴리머층을 식각 보호층으로 이용하여, 상기 복수의 홀들로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 돌기 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 홀들을 형성하는 단계는 마스크 없이 상기 폴리머층의 일부분들이 상기 플라즈마 처리에 의해서 우선 식각되도록 수행하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 진공 또는 대기압 분위기에서 수행하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 홀들을 형성하는 단계 및 상기 돌기 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판을 챔버들 내로 연속적으로 이동하여 연속적으로 수행하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 홀들을 형성하는 단계 및 상기 돌기 패턴을 형성하는 단계는 인-시츄로 연속적으로 수행하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 돌기 패턴을 형성하는 단계 후, 상기 폴리머층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 무기물 표면부를 포함하고, 상기 돌기 패턴은 상기 무기물 표면부에 형성하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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8
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기 패턴 상에 소수성 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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무기물 표면부를 포함하는 기판 상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 폴리머층을 마스크 없이 블랭킷 상태에서 플라즈마 처리하여, 상기 폴리머층의 분자들의 결합부분 또는 상기 폴리머층의 클러스터들의 결합부분을 우선 식각하여, 상기 기판을 노출하는 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 기판의 무기물 표면부를 선택적으로 식각하여, 상기 무기물 표면부에 상기 나노 패턴으로부터 전사된 돌기 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 나노 패턴을 형성하는 단계는 마스크 없이 상기 폴리머층 내 중합부 또는 클러스터 연결부가 상기 플라즈마 처리에 의해서 우선 식각되도록 수행하는, 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법
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