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P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN접합 반도체층;상기 PN접합 반도체층 상에 형성된 복수 개의 나노 돌기들;상기 나노 돌기를 감싸며 상기 나노 돌기와 PN 접합된 투명 반도체막; 및상기 투명 반도체막 상에 형성된 전면 전극;을 포함하며,빛이 입사될 때 상기 나노 돌기들과 상기 투명 반도체막 사이에 전위차가 형성되는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 PN접합 반도체층은 결정질 웨이퍼로 이루어진 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 나노 돌기는 상기 PN접합 반도체층의 식각으로 형성된 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 나노 돌기는 P형 반도체 성질을 갖고, 상기 투명 반도체막은 N형 반도체 성질을 갖는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 나노 돌기는 N형 반도체 성질을 갖고, 상기 투명 반도체막은 P형 반도체 성질을 갖는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 나노 돌기는 투명 전도성 산화물로 이루어진 태양 전지
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제6 항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물은 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), MgO, Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, (La0
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제1 항에 있어서,상기 투명 반도체막의 반사율은 PN접합 반도체층의 반사율보다 작고 공기의 반사율보다 큰 값을 갖는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 투명 반도체막은 상기 나노 돌기의 측면을 감싸도록 형성된 태양 전지
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P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN접합 반도체층 준비 단계;상기 PN접합 반도체층 상에 나노 돌기를 형성하는 나노 돌기 형성 단계;상기 나노 돌기 상에 전면 전극을 형성하면서 상기 나노 돌기를 감싸며 상기 나노 돌기와 PN접합되는 투명 반도체막을 형성하는 투명 반도체막 형성 단계;를 포함하며,빛이 입사될 때 상기 나노 돌기와 상기 투명 반도체막 사이에 전위차가 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 나노 돌기 형성 단계는,상기 PN접합 반도체층 상에 금속박막을 형성하는 단계;상기 금속박막을 가열하여 금속 나노 파티클을 형성하는 단계; 및상기 PN접합 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 나노 돌기 형성 단계는,상기 PN접합 반도체층 상에 금속 잉크를 코팅하는 단계;상기 PN접합 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 나노 돌기 형성 단계는,상기 PN접합 반도체층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트층을 노광하는 단계;노광된 상기 포토 레지스트층을 현상하는 단계; 및현상된 상기 포토 레지스트층을 이용하여 상기 PN접합 반도체층을 식각하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 나노 돌기 형성 단계는,상기 PN접합 반도체층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트층을 노광하는 단계;노광된 상기 포토 레지스트층을 현상하는 단계; 및현상된 상기 포토 레지스트층 사이에 나노 돌기를 증착 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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