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수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치

  • 기술번호 : KST2015129175
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 방전과 세정액을 이용하여 발전소, 소각장, 제조공장 등에서 배출되는 유해가스 내에 포함되어 있는 입자상의 물질과 질소산화물(NOx)과 황산화물(SOx) 등과 같은 유해성 가스를 제거할 수 있는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치에 관한 것이다.이러한 본 발명은 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치는, 플라즈마 장치와 스크러버 장치를 이용하여 유해가스를 처리하는 유해가스 처리장치에 있어서, 플라즈마를 발생하는 방전극과 접지극이 지면과 수직방향으로 설치되어, 유해가스가 상측에서 하측으로 이동하도록 이루어진 플라즈마 장치부와; 상기 플라즈마 장치부의 하측에 설치되는 스크러버 장치부로 구성되며, 상기 스크러버 장치부에 사용되는 세정액은 플라즈마 장치부의 접지극에 공급되어 접지극에 수막을 형성한 후 스크러버 장치부의 패킹볼에 공급되도록 이루어진 것이다.
Int. CL B01D 53/32 (2006.01) B01D 47/14 (2006.01) B01D 47/02 (2006.01)
CPC B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01) B01D 53/323(2013.01)
출원번호/일자 1020110086326 (2011.08.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1321117-0000 (2013.10.16)
공개번호/일자 10-2013-0023512 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한방우 대한민국 서울특별시 중구
2 김용진 대한민국 대전광역시 유성구
3 김학준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0670195-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0058270-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0775754-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0153044-94
6 보정요구서
Request for Amendment
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0021845-24
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0194735-29
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0224323-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0224324-16
10 등록결정서
Decision to grant
2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0524437-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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플라즈마 장치와 스크러버 장치를 이용하여 유해가스를 처리하는 유해가스 처리장치에 있어서,상측에 유해가스가 유입되고, 하측의 측면으로 유해가스가 배출되도록 이루어진 몸체와;플라즈마를 발생하는 방전극과 접지극이 지면과 수직방향으로 설치되어, 유해가스가 상측에서 하측으로 이동하도록 이루어진 플라즈마 장치부와;상기 플라즈마 장치부의 수직 하측에 설치되는 스크러버 장치부가 일체 형태로 설치되며,상기 스크러버 장치부에 사용되는 세정액은 플라즈마 장치부의 접지극에 공급되어 접지극에 수막을 형성한 후 배출되는 가스의 흐름을 길게하는 다수의 공극이 형성된 스크러버 장치부의 패킹볼에 공급됨을 특징으로 하되,상기 플라즈마 장치부는,상기 몸체의 상측 내부에 수직되게 설치된 다수개의 중공(中空) 관으로 이루어진 접지극과, 상기 접지극인 각각의 중공(中空) 관의 중앙부에 설치된 방전극과, 상기 접지극의 상부에 형성된 수막수단과, 상기 접지극과 방전극에 고전압을 인가하는 전압인가장치로 이루어지고,상기 스크러버 장치부는,상기 몸체의 하측 내부에 설치되어 플라즈마 장치부의 하측에 위치하는 패킹볼이 충진된 스크러버와, 상기 스크러버의 하측에 형성된 세정액 탱크와, 상기 세정액 탱크의 세정액을 상기 수막수단에 공급하는 세정액 순환수단으로 이루어지며,상기 플라즈마 장치부와 스크러버 장치부 사이에는 유해성 가스를 처리하기 위한 첨부가스를 공급하는 가스 주입부가 더 형성됨을 특징으로 하는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치
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제1항에 있어서,상기 수막수단은 중공(中空) 관으로 이루어진 접지극의 상부 외주연에 설치된 수막용 챔버와, 상기 수막용 챔버와 연통되어 접지극 내부로 세정액을 배출하는 다수개의 수막용 노즐로 이루어짐을 특징으로 하는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 플라즈마 장치부는 나노펄스의 전압을 이용하여 나노펄스 방전을 하는 나노펄스 플라즈마 장치임을 특징으로 하는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방전극은 탄소섬유 또는 금속섬유로 이루어진 와이어임을 특징으로 하는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방전극은 다수의 방전 핀이 형성된 금속 봉으로 이루어짐을 특징으로 하는 수직형 플라즈마 장치와 스크러버 장치로 이루어진 유해가스 처리장치
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 한국기계연구원 환경부-국가연구개발사업(II) 펄스 전기방전을 이용한 SOx/XOx 동시 고도처리 기술 개발 (2/3)