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자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀

  • 기술번호 : KST2015129198
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상부에 촉매금속층을 형성시키는 단계(단계 1); 탄소소재 음극을 포함하는 자장여과 아크 소스(Filtered vacuum arc source) 장치의 탄소소재 음극을 플라즈마화 시켜 상기 단계 1에서 형성된 촉매금속층 상부로 10 내지 40 nm 두께로 비정질 탄소박막을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 형성된 비정질 탄소박막을 열처리하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3의 열처리가 수행된 박막을 냉각하여 그래핀층을 형성시킨 후, 기판을 분리하는 단계(단계 4)를 포함하는 그래핀 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀은 취급이 어려운 수소가스를 사용하지 않고 흑연을 원료로 하여 그래핀을 제조할 수 있고, 제조되는 그래핀의 두께를 제어할 수 있다. 또한, 우수한 기계적 특성 및 전기적 특성을 나타내는 그래핀을 높은 생산성으로 제조할 수 있으며, 결함이 적은 고품위의 그래핀이 제조되는 효과가 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020110087766 (2011.08.31)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1268477-0000 (2013.05.22)
공개번호/일자 10-2013-0024361 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김종국 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김도근 대한민국 경상남도 창원시
4 강재욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0679499-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088043-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0013589-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0065791-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0065792-29
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0340709-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 촉매금속층을 형성시키는 단계(단계 1);탄소소재 음극을 포함하는 자장여과 아크 소스(Filtered vacuum arc source) 장치의 탄소소재 음극을 플라즈마화 시켜 상기 단계 1에서 형성된 촉매금속층 상부로 10 내지 40 nm 두께로 비정질 탄소박막을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 형성된 비정질 탄소박막을 600 내지 1100 ℃의 온도로 1 내지 10 분 동안 열처리하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3의 열처리가 수행된 박막을 냉각하여 그래핀층을 형성시킨 후, 기판을 분리하는 단계(단계 4)를 포함하는 그래핀 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 촉매금속은 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 루테늄(Ru)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 촉매금속층의 두께는 100 내지 300 nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 탄소소재는 흑연, C60 버키볼(buckyball), 탄소나노튜브로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 자장여과 아크 소스 장치는 10 내지 30 V인 양전압; 10 내지 30 A인 아크전류; 1 내지 5 mTorr인 운전압력; 및 1 내지 5 nm/분인 증착속도로 설정된 공정조건으로 비정질 탄소박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 냉각은 20 내지 50 ℃/분의 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 기판 분리는 기판을 물리적으로 제거한 후, 촉매금속층을 에칭용액을 이용하여 제거하여 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 기판 분리는 촉매금속층을 에칭용액을 이용하여 제거함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
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국가 R&D 정보가 없습니다.