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Al-Si-Mg 합금 성분의 용탕 외부에 위치하고 외부 펄스 발생 전극과 상기 외부 펄스 발생 전극에서 발생한 전자펄스를 상기 용탕의 내부까지 전달하기 위한 웨이브 가이드를 포함하는 전자펄스 발생장치에 의해 상기 Al-Si-Mg 합금에 전자펄스를 주사시킴으로써 Al-Si-Mg 합금의 주조결함을 제거시키는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제1항에 있어서,상기 웨이브 가이드의 재질은 티타늄 재질인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제3항에 있어서,상기 웨이브 가이드는 상기 용탕의 내부에 위치한 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제4항에 있어서,상기 Al-Si-Mg합금은 Al-6~7wt%Si-Mg 합금인 356 또는 357합금인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제5항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 0~100Hz인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제6항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 2~6Hz인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제7항에 있어서,상기 용탕에 상기 전자펄스를 주사시키는 시간은 1 내지 2분인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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Al-Si-Mg 합금 성분의 용탕을 가열시키는 가열단계;가열된 상기 Al-Si-Mg 합금 성분의 용탕 외부에 위치하고 외부 펄스 발생 전극과 상기 외부 펄스 발생 전극에서 발생한 전자펄스를 상기 용탕의 내부까지 전달하기 위한 웨이브 가이드를 포함하는 전자펄스 발생장치에 의해 상기 Al-Si-Mg 합금에 전자펄스를 주사시킴으로써 Al-Si-Mg 합금의 주조결함을 제거시키는 전자펄스 주사단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제9항에 있어서,상기 전자펄스 주사단계에서 전자펄스를 처리할 때, 상기 용탕의 온도는 750℃ 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제9항에 있어서,상기 웨이브 가이드의 재질은 티타늄 재질인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제12항에 있어서,상기 웨이브 가이드는 상기 용탕의 내부에 위치한 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제13항에 있어서,상기 Al-Si-Mg 합금은 356합금 또는 357합금으로서 Si가 6~7wt%가 포함된 합금인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제14항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 0~100Hz인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제15항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 2~6Hz인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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제16항에 있어서,상기 용탕에 상기 전자펄스를 주사시키는 시간은 1 내지 2분인 것을 특징으로 하는 전자펄스 처리에 의한 Al-Si-Mg 합금의 입자 미세화 및 냉각속도향상을 통한 주조결함제어방법
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