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프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 시드층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 제1금속층을 형성하는 단계;상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하고상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계 이후, 상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 자기 조립 단분자 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 제1금속층은 상기 시드층이 촉매로 작용하는 화학적 반응에 의한 무전해 도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 제2금속층은 전기도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계는,상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계 또는 상기 프로브 팁 영역 상에만 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 노출된 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 제2금속층의 상부 표면의 평탄화하는 화학적 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 시드층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 제1금속층을 형성하는 단계;상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 시드층은 Cr 시드층이고,상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 시드층을 형성하는 단계이후, 상기 시드층의 상부에 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 시드층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 제1금속층을 형성하는 단계;상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1금속층은 상기 시드층이 촉매로 작용하는 화학적 반응에 의한 무전해 도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제2금속층은 전기도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계는,상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계 또는 상기 프로브 팁 영역 상에만 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 노출된 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 제2금속층의 상부 표면의 평탄화하는 화학적 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 것은, 상기 베이스 기판의 전면에 포토레지스트 막을 형성하고, 새도우 마스크를 사용하여 노광공정을 진행한 후, 노광공정이 진행된 상기 포토레지스트막을 현상공정을 진행하여, 상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하고,상기 시드층의 형성은 상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하기 위한 새도우 마스크와 동일한 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계 이후, 상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 자기 조립 단분자 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 시드층은 Cr 시드층이고,상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 시드층을 형성하는 단계 이후, 상기 시드층의 상부에 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
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