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알루미늄 스크랩 및 칩의 용탕 외부에 위치한 전자펄스 발생장치에 의해 상기 용탕에 전자펄스를 주사시키고,상기 전자펄스 발생장치는 외부 펄스 발생 전극과 상기 외부 펄스 발생 전극에서 발생한 전자펄스를 상기 용탕의 내부까지 전달하기 위한 웨이브 가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제1항에 있어서,상기 웨이브 가이드의 재질은 티타늄 재질인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제3항에 있어서,상기 웨이브 가이드는 상기 용탕의 내부에 위치한 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제4항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 0~100Hz인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제5항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 2~4Hz인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제6항에 있어서,상기 용탕에 상기 전자펄스를 주사시키는 시간은 1 내지 2분인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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알루미늄 스크랩 및 칩 성분의 용탕을 가열시키는 가열단계;가열된 상기 알루미늄 스크랩 및 칩 성분의 용탕 외부에 위치한 전자펄스 발생장치에 의해 상기 알루미늄 스크랩 및 칩 성분의 용탕에 전자펄스를 주사시킴으로써 알루미늄 스크랩 합금의 주조결함을 제거시키는 전자펄스 주사단계를 포함하고,상기 전자펄스 발생장치는 외부 펄스 발생 전극과 상기 외부 펄스 발생 전극에서 발생한 전자펄스를 상기 용탕의 내부까지 전달하기 위한 웨이브 가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제8항에 있어서,상기 가열단계에서 상기 용탕의 가열온도는 750℃ 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제8항에 있어서,상기 웨이브 가이드의 재질은 티타늄 재질인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제11항에 있어서,상기 웨이브 가이드는 상기 용탕의 내부에 위치한 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제12항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 0~100Hz인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제13항에 있어서,상기 전자펄스의 진동수는 2~4Hz인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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제14항에 있어서,상기 용탕에 상기 전자펄스를 주사시키는 시간은 1 내지 2분인 것을 특징으로 하는 저급의 알루미늄 스크랩을 고급화하는 전자펄스 처리에 의한 알루미늄 스크랩 및 칩의 재생방법
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