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P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN접합 반도체층; 및상기 PN접합 반도체층 상에 형성되며 투명전도성 산화물로 이루어지고, 상면에 형성된 입체 패턴을 갖는 투명 전극;을 포함하며,상기 투명 전극은 적층 배열된 제1 투명전도성 산화물층과, 제2 투명전도성 산화물층을 포함하는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 입체 패턴은 홈으로 이루어진 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 입체 패턴은 돌기로 이루어진 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층은 이격 배치된 복수 개의 돌기로 이루어지고, 상기 제2 투명전도성 산화물층은 상기 제1 투명전도성 산화물층 상에 형성된 상부 산화물층과 상기 제1 투명전도성 산화물층 사이에 배치된 하부 산화물층을 포함하는 광전 소자
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제5 항에 있어서,상기 하부 산화물층 상에는 금속 전극이 형성된 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층과 상기 제2 투명 전도성 산화물층은 동일한 소재로 이루어진 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층과 상기 제2 투명 전도성 산화물층은 상이한 소재로 이루어진 광전 소자
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제8 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층은 상기 제1 투명전도성 산화물층보다 더 큰 전기 전도성을 갖는 광전 소자
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제9 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층은 상기 제2 투명전도성 산화물층보다 더 큰 광투과성을 갖는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층 또는 상기 제2 투명전도성 산화물층은 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), MgO, Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, (La0
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층은 AZO로 이루어지고, 상기 제2 투명전도성 산화물층은 ITO로 이루어진 광전 소자
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제12 항에 있어서,상기 PN접합 반도체층은 결정질 실리콘 웨이퍼로 이루어진 광전 소자
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제12 항에 있어서,상기 PN접합 반도체층은 박막 형태로 이루어진 광전 소자
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PN 접합 반도체층 상에 제1 투명전도성 산화물층을 증착하는 하는 제1 투명전도성 산화물층 형성 단계;상기 제1 투명전도성 산화물층 상에 제2 투명전도성 산화물층을 증착하는 제2 투명전도성 산화물층 형성 단계;상기 제2 투명전도성 산화물층 상에 포토 레지스트층을 형성하고, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 식각하여 패턴을 형성하는 포토 레지스트층 형성 단계;상기 제2 투명전도성 산화물층에 패턴을 형성하는 식각 단계; 및상기 포토 레지스트층을 제거하는 포토 레지스트층 제거 단계를 포함하고,상기 제1 투명전도성 산화물층과 상기 제2 투명전도성 산화물층이 투명 전극을 이루는 광전 소자의 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층 형성 단계는 상기 제2 투명전도성 산화물층을 어닐링하는 열처리 단계를 더 포함하는 광전 소자의 제조 방법
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PN 접합 반도체층 상에 포토 레지스트층을 형성하고, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 식각하여 패턴을 형성하는 포토 레지스트층 형성 단계;상기 포토 레지스트층 사이에 제1 투명전도성 산화물층을 증착하여 복수의 이격된 돌기로 이루어진 제1 투명전도성 산화물층을 형성하는 제1 투명전도성 산화물층 형성 단계;상기 포토 레지스트층을 제거하는 포토 레지스트층 제거 단계;상기 제1 투명전도성 산화물층의 위 및 상기 제1 투명전도성 산화물층 사이에 제2 투명전도성 산화물층을 증착 형성하는 제2 투명전도성 산화물층 형성 단계;를 포함하는 광전 소자의 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층 형성 단계는 상기 제1 투명전도성 산화물층을 어닐링하는 열처리 단계를 더 포함하는 광전 소자의 제조 방법
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