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열전 반도체 소자 패턴을 포함하는 제1도너기판을 제공하는 단계;전극층 패턴을 포함하는 제2도너기판을 제공하는 단계;베이스 기판을 제공하는 단계;상기 제1도너기판과 상기 베이스 기판을 합착하는 단계;상기 열전 반도체 소자 패턴을 상기 베이스 기판 상에 전사하는 단계;상기 전극층 패턴을 포함하는 상기 제2도너기판의 면과 상기 열전 반도체 소자 패턴이 전사된 상기 베이스 기판의 면을 합착하는 단계; 및상기 전극층 패턴을 상기 열전 반도체 소자 패턴이 전사된 상기 베이스 기판의 면에 전사하는 단계를 포함하는 열전 반도체 모듈의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자 패턴을 포함하는 제1도너기판을 제공하는 단계는, 금속전극을 포함하는 제1기판을 작업전극으로 하여, 상기 열전 반도체 소자 패턴을 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하고, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것이고,상기 전극층 패턴을 포함하는 제2도너기판을 제공하는 단계는, 금속전극을 포함하는 제2기판을 작업전극으로 하여, 상기 전극층 패턴을 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하고, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것인 열전 반도체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자 패턴을 포함하는 제1도너기판을 제공하는 단계는, 제1기재층 상에 열전 반도체 소자층을 형성하는 단계; 상기 열전 반도체 소자층의 상부에 제1포토레지스트막을 형성하고, 제1마스크를 사용하여 노광공정을 진행하는 단계; 상기 노광공정이 진행된 제1포토레지스트막을 현상공정을 진행하여, 제1포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제1포토레지스트막 패턴을 마스크로 하여, 상기 열전 반도체 소자층을 식각함으로써, 열전 반도체 소자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것이고,상기 전극층 패턴을 포함하는 제2도너기판을 제공하는 단계는, 제2기재층 상에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층의 상부에 제2포토레지스트막을 형성하고, 제2마스크를 사용하여 노광공정을 진행하는 단계; 상기 노광공정이 진행된 제2포토레지스트막을 현상공정을 진행하여, 제2포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2포토레지스트막 패턴을 마스크로 하여, 상기 전극층을 식각함으로써, 전극층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 열전 반도체의 제조방법
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열전 반도체 소자 패턴 및 전극층 패턴을 포함하는 도너기판을 제공하는 단계;상기 도너기판과 베이스 기판을 합착하는 단계; 및상기 열전 반도체 소자 패턴 및 상기 전극층 패턴을 상기 베이스 기판 상에 전사하는 단계를 포함하고,상기 열전 반도체 소자 패턴 및 전극층 패턴을 포함하는 도너기판을 제공하는 단계는, 기재층의 상부에, 제조하고자 하는 열전 반도체 소자와 대응되는 형상의 개구부를 포함하는 제1마스크를 제공하는 단계; 상기 제1마스크를 마스크로 하여, 상기 기재층의 상부에 열전 반도체 소자 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재층의 상부에, 제조하고자 하는 전극과 대응되는 형상의 개구부를 포함하는 제2마스크를 제공하는 단계; 상기 제2마스크를 마스크로 하여, 상기 기재층의 상부에 전극층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 열전 반도체의 제조방법
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제1열전 반도체 모듈; 및상기 제1열전 반도체 모듈 상에 적층된 제2열전 반도체 모듈을 포함하고,상기 제1열전 반도체 모듈 및 상기 제2열전 반도체 모듈은, 각각 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 상부에 위치하는 열전 반도체 소자; 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 상기 열전 반도체 소자의 일단에 연결되는 제1접촉 전극부; 및 상기 베이스 기판 상에 형성되고, 상기 열전 반도체 소자의 타단에 연결되는 제2접촉 전극부를 포함하고,상기 제1열전 반도체 모듈의 상기 열전 반도체 소자는 제1열전 반도체 소자 및 제2열전반도체 소자를 포함하고, 상기 제1열전 반도체 모듈의 상기 제1접촉 전극부는 제1상부 접촉 전극부 및 제2상부 접촉 전극부를 포함하며, 상기 제1열전반도체 모듈의 상기 제2접촉 전극부는 제1하부 접촉 전극부 및 제2하부 접촉 전극부를 포함하고,상기 제1열전 반도체 모듈에 있어서, 상기 제1하부 접촉 전극부는 상기 제1열전 반도체 소자의 타단에 연결되고, 상기 제1상부 접촉 전극부는 상기 제1열전 반도체 소자의 일단에 연결되며, 상기 제2하부 접촉 전극부는 상기 제2열전 반도체 소자의 타단에 연결되고, 상기 제2상부 접촉 전극부는 제2열전 반도체 소자의 일단에 연결되며, 상기 제1상부 접촉 전극부 및 상기 제2하부 접촉 전극부는 연결전극부에 의해 연결되고, 상기 제1하부 접촉 전극부 및 상기 제2상부 접촉 전극부는 리드전극인 것을 특징으로 하는 적층형 열전 반도체 모듈
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제 9 항에 있어서,상기 제2열전 반도체 모듈의 상기 열전 반도체 소자는 제1열전 반도체 소자 및 제2열전반도체 소자를 포함하고, 상기 제2열전 반도체 모듈의 상기 제1접촉 전극부는 제1상부 접촉 전극부 및 제2상부 접촉 전극부를 포함하며, 상기 제2열전반도체 모듈의 상기 제2접촉 전극부는 제1하부 접촉 전극부 및 제2하부 접촉 전극부를 포함하고,상기 제2열전 반도체 모듈에 있어서, 상기 제1하부 접촉 전극부는 상기 제1열전 반도체 소자의 타단에 연결되고, 상기 제1상부 접촉 전극부는 상기 제1열전 반도체 소자의 일단에 연결되며, 상기 제2하부 접촉 전극부는 상기 제2열전 반도체 소자의 타단에 연결되고, 상기 제2상부 접촉 전극부는 제2열전 반도체 소자의 일단에 연결되며, 상기 제1상부 접촉 전극부 및 상기 제2하부 접촉 전극부는 연결전극부에 의해 연결되고, 상기 제1하부 접촉 전극부 및 상기 제2상부 접촉 전극부는 리드전극인 것을 특징으로 하는 적층형 열전 반도체 모듈
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제 11 항에 있어서,상기 제1열전 반도체 모듈의 리드전극 중 어느 하나와 상기 제2열전 반도체 모듈의 리드전극 중 어느 하나가 콘택전극을 통해 상호 연결됨으로써, 상기 제1열전 반도체 모듈 및 상기 제2열전 반도체 모듈이 직렬연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 열전 반도체 모듈
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제 11 항에 있어서,상기 제1열전 반도체 모듈의 리드전극 중 어느 하나와 상기 제2열전 반도체 모듈의 리드전극 중 어느 하나가 제1콘택전극을 통해 상호 연결되고, 상기 제1열전 반도체 모듈의 리드전극 중 다른 하나와 상기 제2열전 반도체 모듈의 리드전극 중 다른 하나가 제2콘택전극을 통해 상호 연결됨으로써,상기 제1열전 반도체 모듈 및 상기 제2열전 반도체 모듈이 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 열전 반도체 모듈
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