| 1 |
1
기판;상기 기판상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층;상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층;상기 전자수송층상에 적층된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS) 정공수송층; 상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하며,상기 산화인듐주석 전자수송층 및 PEDOT:PSS 정공수송층은 무기태양전지 및 유기태양전지에서 여기된 전자와 정공이 재결합되는 절연층인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
|
| 7 |
7
기판상에 투명전극층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 투명전극층 상부에 무기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 2);상기 무기계 광활성층 상부에 산화인듐주석 전자수송층을 적층하는 단계(단계 3);상기 전자수송층 상부에 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS) 정공수송층을 적층하는 단계(단계 4);상기 정공수송층 상부에 유기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 5); 및상기 유기계 광활성층 상부에 후면전극층을 적층하는 단계(단계 6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질 실리콘층 및 n형 비정질 실리콘층이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
제7항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
|
| 13 |
13
삭제
|
