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빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 및상기 베이스 기판의 제1면에 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및상기 복수의 돌기형 구조체 상에 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은,강화코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 돌기형 구조체의 배열 간격은 에칭 노출 시간을 제어하여 조절되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는, 서로 인접하게 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는,구 형상인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 투명전도성 물질은,Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판의 제2면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 보호층은, Si, Al, Zn 및 Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
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빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 제1면에 건식 에칭 방법을 이용하여 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및상기 복수의 돌기형 구조체 상에 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 반사방지 투명전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 강화코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는 서로 인접하게 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는,구 형상인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 투명전도성 물질은,Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제16항에 있어서,상기 베이스 기판의 제2면에 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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제27항에 있어서, 상기 보호층은, Si, Al, Zn, 및 Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
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