| 1 |
1
구리전구체가스 및 반응가스를 이용하여 기판 상에 구리원자층을 형성하는 제1단계; 및 산화가스로 상기 구리원자층을 산화시켜 산화구리층(CuxO)을 형성하는 제2단계;를 포함하는, 2단계 원자증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1단계는 (a) 상기 구리전구체가스를 증착실 내부로 유입시켜 상기 기판상에 상기 구리전구체가스를 흡착시키는 단계; (b) 상기 구리전구체가스를 상기 증착실로부터 퍼지시키는 단계; (c) 상기 증착실 내로 상기 반응가스를 유입시켜 플라즈마로 만든 후 상기 기판상에 흡착된 구리전구체가스와 반응시켜 상기 기판상에 구리원자층을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 반응가스를 상기 증착실로부터 퍼지시키는 단계;를 포함하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 제2단계는,(e) 상기 산화가스를 증착실 내부로 유입시켜 상기 기판상에 형성된 상기 구리원자층을 산화시키는 단계; 및(f) 상기 산화가스를 상기 증착실로부터 퍼지시키는 단계;를 포함하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 (e) 단계는 상기 산화가스를 플라즈마로 만든 후 상기 기판상에 형성된 상기 구리원자층을 산화시키는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 산화구리층(CuxO)은 제1산화구리층(CuO) 또는 제2산화구리층(Cu2O)를 포함하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 제1단계 또는 제2단계의 수행횟수를 조절하여 제1산화구리층(CuO) 및 제2산화구리층(Cu2O) 중 어느 하나를 선택적으로 제조하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 7 |
7
제3항에 있어서, 상기 제1단계 및 상기 제2단계 중 어느 하나 이상을 복수회로 수행하여 상기 산화구리층(CuxO)의 두께를 조절하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 전구체가스는 Cu(hfac)DMB 또는 CuCl를 포함하며, 상기 반응가스는 수소 또는 상기 수소를 포함하는 화합물가스인, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 산화가스는 산소 또는 산소를 포함하는 화합물 가스인, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 화합물 가스는 O3, N2O 및 H2O 중 어느 하나 이상을 포함하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 80 내지 150℃의 범위로 유지하는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
| 12 |
12
제2항에 있어서, 상기 구리전구체가스는 운반가스와 혼합하여 상기 증착실 내부로 유입시키는, 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 형성방법
|
