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기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 트랜지스터,상기 트랜지스터에 연결되어 있는 압력 센서층,상기 트랜지스터 및 압력 센서층을 덮고 있는 압력 전달층을 포함하고,상기 압력 센서층은 복수개의 제1 압력 센서층과 복수개의 제2 압력 센서층이 교대로 형성되어 있고,상기 제1 압력 센서층 및 제2 압력 센서층은 상기 기판의 표면에 평행하게 형성되어 있는 압력 센서
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제1항에서,상기 제1 압력 센서층은 탄소나노튜브를 포함하고,상기 제2 압력 센서층은 폴리머를 포함하는 압력 센서
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제1항에서,상기 트랜지스터는 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 유전층,상기 유전층 위에 형성되어 있으며 서로 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극,상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 채널층을 포함하고,상기 압력 센서층은 상기 소스 전극과 일부 중첩하며 상기 소스 전극 위에 형성되어 있는 압력 센서
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제3항에서,상기 채널층은 탄소나노튜브 또는 그래핀을 포함하는 압력 센서
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제1항에서,상기 압력 센서층과 일부 중첩하며 상기 압력 센서층 위에 형성되어 있는 접지층을 더 포함하는 압력 센서
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제1항에서,상기 압력 전달층의 표면에는 복수개의 압력 전달 홈이 형성되어 있는 압력 센서
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기판 위에 트랜지스터를 형성하는 단계,상기 트랜지스터의 소스 전극 위에 압력 센서층을 형성하는 단계,상기 압력 센서층 및 트랜지스터 위에 압력 전달층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 압력 센서층을 형성하는 단계는상기 소스 전극 위에 제1 압력 센서층을 형성하는 단계,상기 제1 압력 센서층 위에 제2 압력 센서층을 형성하는 단계,상기 제1 압력 센서층을 형성하는 단계와 상기 제2 압력 센서층을 형성하는 단계를 반복하고,상기 제1 압력 센서층 및 제2 압력 센서층은 상기 기판의 표면에 평행하게 형성되는 압력 센서의 제조 방법
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제7항에서,상기 압력 센서층 위에 상기 압력 센서층과 일부 중첩하는 접지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 압력 센서의 제조 방법
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제8항에서,압력 전달 돌출부를 가진 몰드로 상기 압력 전달층을 가압하여 상기 압력 전달층에 압력 전달 홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 압력 센서의 제조 방법
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