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기판 상에 도파민(dopamine)을 포함하는 층을 형성하는 단계;상기 도파민을 포함하는 층 상에 비드(bead)들을 포함하는 분산용액을 코팅하여 비드층을 형성하는 단계; 및상기 비드층의 토폴로지를 이용하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 기판에 나노 돌기 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도파민을 포함하는 층을 형성하는 단계는, 도파민이 희석된 수용액을 준비하는 단계; 및상기 도파민이 희석된 수용액에 상기 기판을 침지하는 단계; 를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 도파민이 희석된 수용액을 준비하는 단계는, 트리스(하이드록시 메틸) 아미노메탄(Tris(hydroxy methyl) aminomethane)이 용해된 제 1 수용액을 형성하는 단계;상기 제 1 수용액에 염산을 첨가하여 제 2 수용액을 형성하는 단계; 및상기 제 2 수용액에 도파민을 첨가하는 단계;를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제 2 수용액은 pH 8
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제 1 항에 있어서,상기 비드층을 형성하는 단계는상기 도파민을 포함하는 층 상에 비드(bead)들을 포함하는 분산용액을, 스핀 코팅(spin coating), 정전 분무 코팅(ESD, Electrostatic spray deposition) 또는 딥 코팅(dip coating) 하는 단계를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비드층을 형성하는 단계는상기 도파민을 포함하는 층 상에 단일층으로 구성된 비드층을 형성하는 단계를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분산용액이 건조되기 이전에, 상기 비드층 상에 잔류하는 비드들을 제거하는 단계를 더 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 비드층 상에 잔류하는 비드들을 제거하는 단계는, 상기 기판을 이동시킴으로써, 상기 잔류하는 비드들이 상기 비드층으로부터 이탈되는 단계를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 비드층 상에 잔류하는 비드들을 제거하는 단계는, 상기 잔류하는 비드들 상에 기체를 압력 분사함으로써, 상기 잔류하는 비드들이 상기 비드층으로부터 이탈되는 단계를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 비드층 상에 잔류하는 비드들을 제거하는 단계는, 압전체에 의해 진동을 가함으로써 상기 잔류하는 비드들이 상기 비드층으로부터 이탈되는 단계를 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 나노 돌기 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 기판을 식각하는 동안 상기 비드층은 상기 기판에 대하여 식각 지연층의 역할을 하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판은 글래스 기판, 금속 기판, 또는 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 비드는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 폴리스틸렌(Polystyrene)을 포함하는, 나노 패턴의 형성 방법
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