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전기화학적 방법으로 열전 반도체 소자를 전착하는 단계; 및상기 전착된 열전 반도체 소자를 열처리하는 단계를 포함하고,상기 열처리의 온도는 25 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 5B족인 비스무트(Bi) 및 안티몬(Sb)으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 원소와, 6B족인 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 원소로 이루어진 복합 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 P형 열전 반도체 소자 및 N형 열전 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전기화학적 방법은, 기판을 작업전극으로 하여, 상기 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하고, 상대전극 및 기준전극을 이용하여 일정전류 또는 일정전압을 인가하는 것인 열전 반도체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 작업전극은 실리콘 기판 상에 스퍼터링 방법에 의해 Ni/Au를 적층한 구조의 금속전극을 형성한 기판인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 액체 전해질은 계면 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 계면 활성제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제 또는 비이온성 계면 활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 액체 전해질은 P형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질 또는 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질을 포함하고,상기 P형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질의 조성 및 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 액체 전해질의 조성은 양이온성 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 양이온성 계면활성제는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)이고, 상기 음이온 계면활성제는 SDS(sodium dodecyl sulphate)이며, 상기 비이온성 계면활성제는 Triton X-100 (octylphenolpoly(ethyleneglycolether)인 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 액체전해질은 Ag, Cu, Pb, Sn 및 Ge로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법
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