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기판, 투명전극층, p형 실리콘층, i형(intrinsic) 실리콘층, 10 내지 20 nm 두께의 PCBM 층, 및 LiF/Al 전극층이 순차적으로 적층된 하이브리드 박막 태양전지
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LiF/Al 전극층, 10 내지 20 nm 두께의 플러렌 유도체 층, i형(intrinsic) 실리콘층, p형 실리콘층, 및 투명전극층이 순차적으로 적층된 하이브리드 박막 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 기판은 투명한 유리 또는 투명한 플라스틱 기판인 특징으로 하는 하이브리드 박막 태양전지
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 및 탄소나노튜브를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 하이브리드 박막 태양전지
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기판, 투명전극층, p형 실리콘층, i형(intrinsic) 실리콘층, n형 반도체층 및 금속전극층이 상기 순서대로 적층된 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법에 있어서,상기 n형 반도체층으로서 10 내지 20 nm 두께의 PCBM 층을 사용하고, 금속전극층으로서 LiF/Al 전극층을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법
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금속전극층, n형 반도체층, i형(intrinsic) 실리콘층, p형 실리콘층 및 투명전극층이 상기 순서대로 적층된 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법에 있어서,상기 n형 반도체층으로서 10 내지 20 nm 두께의 PCBM 층을 사용하고, 금속전극층으로서 LiF/Al 전극층을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 PCBM 층은 1 내지 10 중량%의 농도 PCBM 용액을 스핀코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법
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제11항에 있어서, 상기 PCBM 층은 스핀코팅 후, 100 내지 200 ℃의 온도로 열처리 되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 방법
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