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실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015129545
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 마이크로 열전 소자의 제조 공정을 단순화하고, 고온에서도 N타입, P타입 반도체 층을 형성시키는 것이 가능한 열전 소자 제조 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따르면, 실리콘 마스크를 이용하여 증착하므로 고온에서도 P타입, N타입 반도체층을 고온 증착시켜 열전 소자 제조하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020130009662 (2013.01.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1408670-0000 (2014.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승우 대한민국 대전광역시 유성구
2 김정엽 대한민국 대전광역시 유성구
3 박현성 대한민국 대전광역시 유성구
4 우창수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0083983-65
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0892882-52
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0155061-41
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0155056-12
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0249179-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(200) 일측면에 실리콘 산화막(210), 전극(220)이 순차적으로 적층 형성하는 단계;상기 전극(220)을 내삽하게 하단에 제 1 전극층 요홈(402) 및 상기 제 1 전극층 요홈(402)과 연결되는 제 1 개구부(401)가 형성된 제 1 마스크(400)를 상기 실리콘 기판(200) 일측면에 대향되게 상기 실리콘 기판(200) 일측면상에 안착시키는 단계;스퍼터링 수단에 의해 반도체층을 상기 제 1 개구부(401)내에 증착시키는 단계;상기 제 1 마스크(400)를 제거하고, 증착된 반도체층을 내삽하게 하단에 반도체층 요홈(435)이 형성되고 상기 반도체층 요홈(435)과 소정의 간격으로 이격된 제 2 개구부(431)가 형성되며 상기 반도체층 요홈(435) 및 상기 제 2 개구부(431)와 연결되어 상기 전극(220)을 내삽하게 제 2 전극층 요홈(433)이 형성된 제 2 마스크(430)를 상기 실리콘 기판(200) 일측면에 대향되게 상기 실리콘 기판(200) 일측면상에 안착시키는 단계; 상기 스퍼터링 수단에 의해 상기 반도체층과 다른 이종 반도체층을 상기 제 2 개구부(431)내에 증착시키는 단계;상기 제 2 마스크(430)를 제거하고, 각각 다른 전극(220) 상에 형성된 상기 이종 반도체층과 상기 반도체층의 상단면을 연결 전극판으로 연결하는 단계; 및 상기 연결 전극판 표면에 열전도성 커버(500)를 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판(200)과 상기 마스크는 동일한 재질이되, 상기 재질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 N 타입 반도체층이고, 상기 이종 반도체층은 P 타입 반도체층인 것을 특징으로 하는 실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판(200)과 상기 마스크는 동일한 열팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 마스크를 이용한 열전 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 주요사업 나노소재 기반 기능성 소자 적용기술 개발 (1/3)