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투명전극;소정 간격을 두어 형성되는 복수개의 돌출부가 구비되는 것으로, 상기 투명전극 상에 형성되는 금속산화물층;상기 금속산화물층 상에 형성되는 것으로, 복수개의 양자점을 포함하는 양자점층; 상기 양자점층 상에 형성되는 전이금속 산화물층; 및상기 전이금속 산화물층 상에 형성되어 상기 투명전극과 대향하는 대향전극을 포함하는 양자점 태양전지
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청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물층의 돌출부 사이의 간격은 400nm 내지 1000nm인 양자점 태양전지
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속산화물층은 n-type의 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, In2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이거나, 상기 물질들에 13족 또는 15족에서 선택되는 원소가 도핑된 물질인 양자점 태양전지
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청구항 3에 있어서, 상기 양자점은 p-type의 CdS, MgSe, MgO, CdO, CdSe, CdTe, InP, InAs, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, PbSe, PbS, CuO 및 PbTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물이거나, 상기 화합물에 13족 또는 15족에서 선택되는 원소가 도핑된 물질인 양자점 태양전지
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청구항 1에 있어서, 상기 전이금속 산화물층은 WO3, MoO3, Fe2O3, VO2및 Cr2O3로 이루어진 군에서 선택되는 양자점 태양전지
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7
투명전극 상부에 광경화성 또는 열경화성 물질을 포함하는 금속산화물 전구체 용액을 코팅하여 금속산화물층을 형성하는 1단계; 요철구조를 갖도록 패터닝된 몰드를 이용하여 나노임프린트 공정을 통해 상기 금속산화물층에 소정 간격을 두어 배치되는 복수개의 돌출부를 형성하는 2-1 단계; 상기 금속산화물층을 300℃ 내지 500℃의 온도에서 열처리하여 상기 금속산화물층의 결정도를 증가시키는 2-2 단계; 및상기 금속산화물층 상에 복수개의 양자점을 포함하는 양자점층과 상기 투명전극과 대향하는 대향전극을 형성하는 3단계를 포함하는 양자점 태양전지 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 금속산화물층은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, In2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이거나, 상기 물질들에 13족 또는 15족에서 선택되는 원소가 도핑된 물질이고, 상기 양자점은 CdS, MgSe, MgO, CdO, CdSe, CdTe, InP, InAs, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, PbSe, PbS, CuO 및 PbTe로 이루어진 군에서 선택되는 화합물이거나, 상기 화합물에 13족 또는 15족에서 선택되는 원소가 도핑된 물질인 양자점 태양전지 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 3단계는, 상기 양자점층과 대향전극 사이에 WO3, MoO3, Fe2O3, VO2 및 Cr2O3로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 제조되는 전이금속 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 태양전지 제조방법
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