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기판 위에 도전막을 형성하는 단계,상기 도전막 위에 상기 도전막과 식각 선택비 차이가 있는 물질로 완충막을 형성하는 단계,상기 완충막 위에 유-무기 복합막을 형성하는 단계,상기 유-무기 복합막을 임프린팅하여 마스크 패턴을 형성하는 단계,상기 마스크 패턴을 열처리하는 단계,상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 도전막을 식각하여 미세 패턴을 형성하는 단계,상기 식각 마스크를 제거하는 단계를 포함하고,상기 열처리로 상기 마스크 패턴의 크기가 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에서,상기 열처리하는 단계에서,상기 유-무기 복합막의 유기 물질을 제거하는 미세 패턴의 제조 방법
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제2항에서,상기 열처리하는 단계에서,상기 유기 물질의 부피만큼 상기 마스크 패턴의 부피가 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제2항에서,상기 임프린팅은 오목부를 가지는 몰드로 상기 유-무기 복합막을 가압한 후 제거하는 단계를 포함하고,상기 마스크 패턴은 상기 오목부에 의해서 남겨지는 부분의 폭이 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제2항에서,상기 유-무기 복합막은 유-무기 복합물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 형성하고,상기 유-무기 복합물질은 금속과 아크릴레이트기 또는 헥사노에이트기를 가지는 물질이고,상기 유기 물질은 PE(poly ethylene), PP(poly propylene), PVC(poly vinyl cchloride), PS(poly styrene), PVA(poly vinyl alcohol), PMMA(poly methyl methacrylate), PAN(poly acrylonitrile) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 무기 물질은 Ag, Cu, Al, Zr, Sn, Ti, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에서,상기 열처리는 핫플레이트, 로가열, 마이크로웨이브 오븐 중 어느 하나로 실시하는 미세 패턴의 제조 방법
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제6항에서,상기 열처리는 300℃ 내지 800℃에서 진행하는 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에서,상기 미세 패턴의 선폭은 1nm 내지 70nm이고,상기 미세 패턴 사이의 간격은 100nm 내지 700nm로 형성하는 미세 패턴의 제조 방법
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기판 위에 유-무기 복합막을 형성하는 단계,상기 유-무기 복합막을 임프린팅하여 제1 희생 패턴을 형성하는 단계,상기 제1 희생 패턴을 열처리하는 단계,상기 제1 희생 패턴 사이에 제2 희생 패턴을 형성하는 단계,상기 제1 희생 패턴을 제거하여 개구부를 형성하는 단계,상기 개구부에 금속을 채워 미세 패턴을 형성하는 단계,상기 제2 희생 패턴을 제거하는 단계를 포함하고,상기 열처리로 상기 제1 희생 패턴의 크기가 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제10항에서,상기 열처리하는 단계에서,상기 유-무기 복합막의 유기 물질을 제거하는 미세 패턴의 제조 방법
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제11항에서,상기 열처리하는 단계에서,상기 유기 물질의 부피만큼 상기 제1 희생 패턴의 부피가 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제11항에서,상기 임프린팅은 오목부를 가지는 몰드로 상기 유-무기 복합막을 가압한 후 제거하는 단계를 포함하고,상기 제1 희생 패턴은 상기 오목부에 의해서 남겨지는 부분의 폭이 감소하는 미세 패턴의 제조 방법
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제11항에서,상기 유-무기 복합막은 유-무기 복합물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 형성하고,상기 유-무기 복합물질은 금속과 아크릴레이트기 또는 헥사노에이트기를 가지는 물질이고,상기 유기 물질은 PE(poly ethylene), PP(poly propylene), PVC(poly vinyl cchloride), PS(poly styrene), PVA(poly vinyl alcohol), PMMA(poly methyl methacrylate), PAN(poly acrylonitrile) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 무기 물질은 Ag, Cu, Al, Zr, Sn, Ti, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 미세 패턴의 제조 방법
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제10항에서,상기 열처리는 핫플레이트, 로가열, 마이크로웨이브 오븐 중 어느 하나로 실시하는 미세 패턴의 제조 방법
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제15항에서,상기 열처리는 300℃ 내지 800℃에서 진행하는 미세 패턴의 제조 방법
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제10항에서,상기 미세 패턴의 선폭은 1nm 내지 70nm이고,상기 미세 패턴 사이의 간격은 100nm 내지 700nm로 형성하는 미세 패턴의 제조 방법
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제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제17항 중 어느 하나의 방법으로 미세 패턴을 가지는 제1 투명 도전막을 형성하는 단계,상기 제1 투명 도전막과 중첩하는 제2 투명 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전막의 제조 방법
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제18항에서,상기 제1 투명 도전막은 망 구조로 형성하는 투명 도전막의 제조 방법
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제19항에서,상기 제1 투명 도전막은 상기 미세 패턴의 개구부에 채워진 투명 물질을 더 포함하는 투명 도전막의 제조 방법
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제20항에서,상기 투명 물질은 전도성 고분자인 투명 도전막의 제조 방법
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제18항에서,상기 제2 투명 도전막은 나노선, 그래핀 및 탄소나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 투명 도전막의 제조 방법
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제18항에서,상기 제1 투명 도전막의 두께와 상기 제2 투명 도전막 두께의 합은 100nm이하인 투명 도전막의 제조 방법
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