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이차전지용 음극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129636
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지용 음극에서 음극 집전체를 형성하는 기판 표면을 전처리를 한 후 그 상측에 Si층을 형성하거나, 전처리된 기판 상측에 Ti, Ta 및 Ti/Si합금 중 어느 하나로 형성되는 접착층을 형성하고 그 상측에 Si층을 형성하여 접촉면의 결합력을 향상시킴으로써 이차전지의 성능을 향상시킬 수 있는 이차전지용 음극 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01M 4/1395 (2010.01) H01M 4/134 (2010.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01)
출원번호/일자 1020130029906 (2013.03.20)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0115159 (2014.09.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오민섭 대한민국 서울특별시 강남구
2 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
3 이후정 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 정준호 대한민국 대전광역시 서구
5 우창수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0241854-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0009614-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0615924-42
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1051773-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1051758-73
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-5002865-62
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0029174-16
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-5004924-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
표면이 플라즈마 전처리된 기판(100); 및상기 기판(100)의 상면에 증착되는 Si층(300);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극
2 2
제1항에 있어서,상기 기판(100)은 Cu 또는 Ni로 형성되는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극
3 3
제1항에 있어서,상기 기판(100)과 Si층(300) 사이에 형성되는 접착층(200)을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극
4 4
제3항에 있어서,상기 접착층(200)은 Ti, Ta 및 Ti/Si합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극
5 5
기판(100) 표면을 플라즈마 전처리하는 플라즈마 전처리단계(S10); 및상기 기판(100)의 상면에 Si층(300)을 증착하는 Si층 증착단계(S30);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극 제조방법
6 6
기판(100) 표면을 플라즈마 전처리하는 플라즈마 전처리단계(S10);상기 기판(100) 상면에 접착층(200)을 형성하는 접착층 형성단계(S20); 및상기 접착층(200)의 상면에 Si층(300)을 증착하는 Si층 증착단계(S30);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업 (3/5)