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내부에 발열체가 매립 설치되어 있으며 니켈(Ni) 25~35 중량%, 철(Fe) 45~55 중량% 및 코발트(Co) 10~20 중량%를 포함하는 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재;상기 금속 모재의 일면에 형성된 제1 세라믹층; 및상기 금속 모재의 타측면 및 둘레에 형성된 제2 세라믹층을 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 Ni-Fe-Co 합금은 Ni 29
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제1항에 있어서, 상기 제1 세라믹층은 AlN, Al2O3, ZrO3 또는 Y2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 제2 세라믹층은 AlN, Al2O3, ZrO3 또는 Y2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 제2 세라믹층은 용사법(thermal spraying)에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 발열체는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)으로 이루어진 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
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내부에 발열체가 매립 설치되어 있으며 니켈(Ni) 25~35 중량%, 철(Fe) 45~55 중량% 및 코발트(Co) 10~20 중량%를 포함하는 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재; 상기 금속 모재의 일면에 형성된 제1 세라믹층; 및 상기 금속 모재의 타측면 및 둘레에 형성된 제2 세라믹층을 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트; 및상기 금속 모재의 타측면에 연결된 샤프트를 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치
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제8항에 있어서, 상기 샤프트는 길이 방향을 따라 형성된 중공에 전극봉 및 열전대가 내재된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치
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