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페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 전자소자

  • 기술번호 : KST2015129800
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 전자소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유연기판에 반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting, E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing)을 등의 방식을 통해 이용해 금속 또는 폴리머의 탄성 범프를 형성하고 접착제를 도포한 후, 그 위에 매우 얇은 전자소자들을 전사하여 전자소자들 간 및 전자소자의 전극패드들이 전기적으로 연결되도록 함으로써, 초박형의 전자소자 파손 없이 전사와 동시에 접속이 이루어지도록 할 수 있고 전자소자들을 연결하는 배선의 단락을 방지할 수 있으며 노광을 통한 반도체 금속 배선공정, printing, ink-jet, E-jet 공정 등을 통해 미세한 접속 배선의 형성 및 유연기판에 손상을 주지 않으면서 접속 배선을 형성할 수 있는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 전자소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 21/58 (2006.01)
CPC H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01)
출원번호/일자 1020130118319 (2013.10.04)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1511023-0000 (2015.04.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재학 대한민국 대전광역시 유성구
2 김형준 대한민국 대전광역시 유성구
3 송준엽 대한민국 대전 서구
4 하태호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이창우 대한민국 대전광역시 서구
6 이학주 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0899109-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0040144-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0598104-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0894289-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0894298-32
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-5002865-62
8 등록결정서
Decision to grant
2015.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0030694-60
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-5004924-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting 및 E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing) 중 선택되는 어느 하나의 방법을 이용해 양단에 접속부가 형성되는 접속 배선을 유연기판의 상면에 형성하는 단계(SA10);상기 유연기판의 상측에 접착층을 형성하는 단계(SA20); 및상기 접속부와 전자소자가 연결되도록 상기 유연기판의 상측에서 전자소자들을 전사하는 단계(SA30); 를 포함하여 이루어져, 초박형 전자소자의 파손 없이 전사와 동시에 접속이 이루어지며,상기 SA10단계에서는 반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting 및 E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing) 중 선택되는 어느 하나의 방법을 이용해 유연기판의 상면에 폴리머 재질의 탄성 범프를 형성한 후 접속 배선의 접속부가 상기 폴리머 재질의 탄성 범프를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 SA10단계에서는 상기 유연기판이 열에 의해 변형되지 않는 온도에서 접속부를 포함한 접속 배선 및 탄성 범프를 형성하는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 SA30단계에서는 동종 또는 이종의 전자소자들이 전사되는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
5 5
반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting 및 E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing) 중 선택되는 어느 하나의 방법을 이용해 유연기판의 상면에 접속부 및 상기 접속부에 연결되는 배선 연결부를 형성하는 단계(SB10);상기 유연기판의 상측에 접착층을 형성하는 단계(SB20);상기 접속부와 전자소자가 연결되도록 상기 유연기판의 상측에서 전자소자들을 전사하는 단계(SB30); 및반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting 및 E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing) 중 선택되는 어느 하나의 방법을 이용해 상기 배선 연결부들을 연결하는 접속 배선을 형성하는 단계(SB40); 를 포함하여 이루어져, 초박형 전자소자의 파손 없이 전사와 동시에 접속이 이루어지며,상기 SB10단계에서는 반도체 노광 패터닝 및 에칭, 프린팅, 젯팅, Dotting 및 E-jet 프린팅(Electrohydrodynamic jet printing) 중 선택되는 어느 하나의 방법을 이용해 유연기판의 상면에 폴리머 재질의 탄성 범프를 형성한 후 상기 접속부가 상기 폴리머 재질의 탄성 범프를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 SB10단계 및 SB40단계에서는 상기 유연기판이 열에 의해 변형되지 않는 온도에서 접속부, 배선 연결부, 탄성 범프 및 접속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 SB30단계에서는 동종 또는 이종의 전자소자들이 전사되는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
9 9
제5항에 있어서,상기 SB10단계에서 배선 연결부는 단부가 전자소자의 외측으로 노출되도록 형성되며, 상기 SB20단계에서 접착층은 상기 전자소자가 전사되는 부분에만 형성되는 것을 특징으로 하는 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제1항, 제3항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항의 페이스-다운 방식의 유연 전자소자 제조방법을 이용해 제조되며,유연기판;상기 유연기판의 상면에 형성되는 탄성 범프;상기 유연기판의 상면에 형성되며, 상기 탄성 범프를 덮도록 형성되는 접속부가 형성되어 상기 접속부에 연결되는 접속배선;상기 유연기판의 상면에 형성되는 접착층; 및상기 접착층에 밀착되며, 하측에 전극패드가 형성되어 상기 전극패드가 접속부와 연결되는 다수개의 전자소자; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 전자소자
13 13
제12항에 있어서,상기 접속부 및 탄성 범프는 상기 유연기판과 전자소자 사이에 밀착되는 것을 특징으로 하는 유연 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.