맞춤기술찾기

이전대상기술

임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015129807
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 기판에 형성된 나노박막에 임프린트 기법을 이용해 나노박막에 패턴을 형성하되 스탬프에 형성된 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 임프린트하고, 패턴이 형성된 나노박막을 원하는 타겟 기판에 전사할 수 있는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것이다.
Int. CL B29C 33/42 (2006.01) B29C 59/02 (2006.01)
CPC B29C 59/02(2013.01) B29C 59/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130130742 (2013.10.31)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1579935-0000 (2015.12.17)
공개번호/일자 10-2015-0049776 (2015.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.31)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상민 대한민국 대구광역시 수성구
2 전성재 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 김재현 대한민국 대전광역시 유성구
4 김광섭 대한민국 대전광역시 유성구
5 조경민 대한민국 부산광역시 부산진구
6 김창현 대한민국 경북 구미시
7 최병익 대한민국 대전 서구
8 김경식 대한민국 대전 유성구
9 황보윤 대한민국 대전광역시 유성구
10 이승모 대한민국 대전 유성구
11 이학주 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0989510-99
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0141779-90
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1042095-65
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0078512-55
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-5002865-62
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-5004921-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0245274-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0512152-62
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0512162-18
11 등록결정서
Decision to grant
2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0742284-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SA10);상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SA20);상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SA30);상기 금속 기판을 제거하는 단계(SA40); 및상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SA50); 를 포함하여 이루어지며,상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 SA20단계에서, 상기 스탬프는 일면에 패턴이 형성된 평판형 스탬프 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프를 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 SA20단계에서, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막은 눌리지 않은 부분과 분리되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 연속으로 공급하는 단계(SB10);공급되는 금속 기판의 나노박막에 롤 스탬프를 이용하여 패턴 형상을 임프린트하되, 롤 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SB20);상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB30);상기 금속 기판을 제거하는 단계(SB40);하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB50);상기 캐리어 기판을 회수하여 타겟 기판의 상면에 패턴이 형성된 나노박막이 전사되도록 하는 단계(SB60); 및상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 단계(SB70); 를 포함하여 이루어지며,상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 SB60단계 및 SB70단계 사이에 패턴이 형성된 나노박막과 타겟 기판을 밀착시키는 단계(SB65)가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
8 8
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 공급하는 금속 기판 공급롤;상기 금속 기판의 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하며, 나노박막의 두께보다 두꺼운 패턴이 형성되는 롤 스탬프 및 가압롤;금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하는 캐리어 기판 공급롤;패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제1밀착롤;상기 제1밀착롤을 통과하여 캐리어 기판, 패턴이 형성된 나노박막 및 금속 기판이 밀착된 상태에서 금속 기판을 제거하는 금속 기판 제거부;상기 캐리어 기판의 하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하는 타겟 기판 공급롤;상기 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제2밀착롤;상기 제2밀착롤을 통과한 캐리어 기판을 회수하는 캐리어 기판 회수롤; 및상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 타겟 기판 회수롤; 을 포함하여 이루어지며,상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 금속 기판 제거부는 상기 제1밀착롤을 통과한 캐리어 기판의 상측을 눌러주는 롤러 및 금속 기판이 잠기도록 형성되는 에칭액이 수용되는 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 제2밀착롤과 타겟 기판 회수롤 사이에는 패턴이 형성된 나노박막과 타켓 기판을 밀착시키는 제3밀착롤이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치
11 11
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SC10);상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SC20);상기 금속 기판을 제거하는 단계(SC30);상기 캐리어 기판의 하측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 하면이 캐리어 기판의 하면보다 상측으로 들어가도록 형성하는 단계(SC40); 및상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SC50); 를 포함하여 이루어지며,상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
12 12
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SD10);상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SD20);하면에 접착층이 형성된 타겟 기판을 상기 금속 기판의 상측에서 밀착시켜, 상기 접착층이 나노박막에 밀착되도록 하는 단계(SD30); 및상기 금속 기판을 떼어내 패턴이 형성된 나노박막을 상기 접착층이 형성된 타겟 기판으로 전사하는 단계(SD40); 를 포함하여 이루어지며,상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 지경부-국가연구개발사업(II) 유연 나노박막용 대면적 전사 및 연속 생산시스템 기술 개발 (3/3)