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표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화하는 단계;베이스 기판 상에 상기 금속 나노입자 잉크로 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 금속 패턴 중 상기 고분자 물질을 세척하는 단계; 및상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고분자 물질을 세척하는 단계에서, 상기 금속 패턴의 상부에 형성된 잉크의 캐핑된 고분자 물질만 제거되고, 상기 금속 패턴의 하부에 형성된 잉크의 캐핑된 고분자 물질은 제거되지 않고 잔류하며, 상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성하는 단계에서, 상기 금속 패턴이 형성된 베이스 기판을 80~180도 범위의 온도에서 가열하여 상기 금속 패턴의 상부에 형성되어 캐핑된 고분자 물질이 제거된 잉크의 금속 나노입자를 소결하는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 물질을 세척하는 단계는, 상기 금속 패턴을 세척액에 담그는 단계; 및상기 금속 패턴에 잔류한 세척액을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 물질을 세척하는 단계는, 상기 금속 패턴 상에 세척액을 도포하며 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은(Ag) 나노입자이며, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP)인 것을 특징으로 하는 전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 고분자 물질의 세척액은 아세톤(acetone)과 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 혼합액인 것을 특징으로 하는 전극 제조방법
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