4 |
4
제1항에 있어서, 상기 양자점 코팅 유닛은 디핑(dipping) 유닛, 스프레이(spraying) 유닛, 드롭캐스팅(drop casting) 유닛, 자기조립 유닛, 스핀코팅(spin coating) 유닛, 닥터플레이드(doctor blade) 유닛, 바코팅(bar coating) 유닛, 슬롯다이코팅(slot die coating) 유닛, 마이크로 그라비아 코팅(micro gravure coating) 유닛, 코마코팅(coma coating) 유닛, 잉크젯(inkjet) 프린팅 유닛, 그라비아(gravure) 프린팅 유닛 및 플렉소(flexo) 프린팅 유닛으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지 제조장치
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 양자점은,II-VI족의 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe을 포함하는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe을 포함하는 삼원소 화합물, 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe을 포함하는 사원소 화합물 양자점(1);III-V족의 GaN, GaP, GaAs, aSb, InP, InAs, InSb을 포함하는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP을 포함하는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 을 포함하는 사원소 화합물 양자점(2); IV-VI족의 PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 이원소 화합물, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe을 포함하는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe을 포함하는 사원소 화합물 양자점(3); IV족의 Si, Ge을 포함하는 단일 원소 화합물, SiC, SiGe을 포함하는 이원소 화합물 양자점(4); 및 상기 (1) 내지 (4)의 양자점들 중 2종의 양자점이 접합한 형태의 2종 접합 양자점 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지 제조장치
|