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기판;상기 기판 상에 형성된 전면 전극층;상기 전면 전극층 상에 형성된 복수의 옥사이드층;상기 옥사이드층 상에 형성된 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 형성되는 후면 전극층;을 구비하고, 상기 복수의 옥사이드층은 다단 구조의 일함수(work function)를 가지도록 상기 복수의 옥사이드층의 각각은 크기가 서로 다른 일정한 일함수를 가지고,상기 복수의 옥사이드층은,상기 전면 전극층 상에 형성되고, 제 1 물질을 포함하는 제1 옥사이드층;상기 제1 옥사이드층 상에 형성되고, 상기 제 1 물질과 다른 제 2 물질을 포함하는 제 2 옥사이드층;을 포함하고,상기 제1 옥사이드층과 상기 제2 옥사이드층은 동일한 피라미드 텍스처링 표면을 가지는, 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 옥사이드층은 MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 으로 이루어진 군에서 선택된 상기 제 1 물질을 포함하고,상기 제 2 옥사이드층은 MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 으로 이루어진 군에서 선택된 상기 제 2 물질을 포함하고,상기 제 2 옥사이드층의 일함수는 상기 제 1 옥사이드층의 일함수보다 더 큰, 박막 태양전지
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제 2 항에 있어서, 상기 복수의 옥사이드층은 상기 제 2 옥사이드층 상에 형성되며, MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 으로 이루어진 군에서 선택된, 상기 제 1 물질 및 상기 제 2 물질과 다른, 제 3 물질을 포함하는 제 3 옥사이드층;을 더 구비하고, 상기 제 3 옥사이드층의 일함수는 상기 제 2 옥사이드층의 일함수보다 더 큰, 박막 태양전지
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제 3 항에 있어서, 상기 복수의 옥사이드층은 상기 제 3 옥사이드층 상에 형성되며, MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 으로 이루어진 군에서 선택된, 상기 제 1 물질, 상기 제 2 물질 및 상기 제 3 물질과 다른, 제 4 물질을 포함하는 제 4 옥사이드층;을 더 구비하고, 상기 제 4 옥사이드층의 일함수는 상기 제 3 옥사이드층의 일함수보다 더 큰, 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 옥사이드층은 WO3층을 포함하고,상기 제2 옥사이드층은 V2O5층을 포함하는, 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 비정질 실리콘 박막(a-Si:H), 미세결정질 실리콘 박막(Micro-Crystalline Silicon, mc-Si:H), 결정질 실리콘 박막(Crystalline Silicon, Si:H), 다결정질 실리콘 박막(Polycrystalline Silicon, pc-Si:H) 및 나노결정질 실리콘박막(Nano-Crystalline Silicon, nc-Si:H) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 실리콘 박막을 포함하는, 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 복수의 옥사이드층 상에 형성된 진성(intrinsic) 실리콘 박막층; 및 상기 진성 실리콘 박막 층 상에 형성된 n타입 실리콘 박막층;을 포함하는, 박막 태양전지
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8
제 1 항에 있어서,상기 기판은 FTO(Fluorine Tin Oxide)가 코팅된 유리 기판인, 박막 태양전지
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9
제 1 항에 있어서, 상기 전면 전극층은, FTO(Fluorine Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al, AgO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되거나, ITO/GZO 또는 ZnO/AZO로 이루어진 이중층으로 형성된, 박막 태양전지
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 상기 박막 태양전지를 제조하는 방법으로서, 상기 옥사이드층의 형성은 열 증착법(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 공정 또는 전자빔 증착(E-beam evaporation)을 이용하여 이루어지는 박막 태양전지의 제조방법
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