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플라즈마 아크 방전법을 이용한 실리콘 분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129943
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 실리콘 분말 모재를 제공하는 단계; 이송식 플라즈마 장치 내부로 상기 실리콘 분말 모재를 장입하는 단계; 상기 이송식 플라즈마 장치 내에서 직류 방전에 의하여 열플라즈마 제트를 발생시키는 단계; 상기 열플라즈마 제트를 이용하여 상기 실리콘 분말 모재를 용융 및 기화시키는 단계; 및 상기 기화 상태의 실리콘을 냉각시켜 실리콘 나노 분말을 생성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노 분말의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 분말 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 아크 플라즈마 방전법에 의해 용이하게 실리콘 나노 분말을 제조할 수 있다.
Int. CL B22F 9/14 (2006.01)
CPC B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01)
출원번호/일자 1020140085485 (2014.07.08)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1537216-0000 (2015.07.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정국채 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 김종우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김동수 대한민국 경상남도 김해시
4 장세훈 대한민국 경상남도 거제시 거제중앙로*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0643263-25
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0891779-77
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.09.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.09.28 수리 (Accepted) 9-1-2014-0076744-94
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1070067-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0042031-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0274055-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0274066-16
9 등록결정서
Decision to grant
2015.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0259782-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 분말 모재를 제공하는 단계;직류 방전에 의하여 열플라즈마를 발생시키는 단계;상기 열플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 분말 모재를 용융 및 기화시키는 단계; 및상기 기화 상태의 실리콘을 냉각시켜 실리콘 나노 분말을 생성하는 단계를 포함하고,상기 실리콘 분말 모재를 제공하는 단계이후, 이송식 플라즈마 장치 내부로 상기 실리콘 분말 모재를 장입하는 단계를 더 포함하고,상기 직류 방전에 의하여 열플라즈마를 발생시키는 단계는 상기 이송식 플라즈마 장치를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 분말 모재는, 벌크 상태의 실리콘 분말 모재 또는 분말 상태의 실리콘 분말 모재인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 분말의 제조방법
3 3
삭제
4 4
반도체성 분말 모재를 제공하는 단계; 직류 방전에 의하여 열플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 열플라즈마를 이용하여 상기 반도체성 분말 모재를 용융 및 기화시키는 단계; 및상기 기화 상태의 반도체성 물질을 냉각시켜 반도체성 나노 분말을 생성하는 단계를 포함하고,상기 반도체성 분말 모재를 제공하는 단계이후, 이송식 플라즈마 장치 내부로 상기 반도체성 분말 모재를 장입하는 단계를 더 포함하고,상기 직류 방전에 의하여 열플라즈마를 발생시키는 단계는 상기 이송식 플라즈마 장치를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체성 나노 분말의 제조방법
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 저온 자기냉각용 고효율 자기열량재료 연구(2/4)
2 교육과학기술부 한국기계연구원 부설 재료연구소 원천기술개발사업 플라즈마 아크공정에 의한 상온 진공분말분사 공정용 메조분말 제조기술 개발(4/5)