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에너지 저장소자용 전극 구조물의 제조방법에 있어서, 제1 표면에 제1 요철 패턴을 갖는 고분자 기판을 형성하는 단계(S130);상기 고분자 기판에 인장력을 인가한 상태에서 상기 제1 요철 패턴 위에 전극 활물질층을 형성하는 단계(S140); 및 상기 인장력을 제거하여 상기 고분자 기판 및 상기 전극 활물질층에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계(S150);를 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기판을 형성하는 단계(S130)는, 상기 제1 요철 패턴을 갖는 몰드를 형성하는 단계(S110); 상기 몰드에 고분자 기판을 적층하는 단계(S120); 및상기 고분자 기판에서 상기 몰드를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전극 활물질층은 양극 활물질층 또는 음극 활물질층인 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 양극 활물질층은 양극재 활물질, 바인더, 및 도전재를 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전극 활물질층을 형성하는 단계는,상기 고분자 기판에 인장력을 인가한 상태에서 상기 제1 요철 패턴 위에 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막을 코팅하는 단계(S240); 및 상기 인장력을 유지한 상태에서 상기 CNT 네트워크 박막 위에 상기 전극 활물질층을 도포하는 단계(S250);를 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 기판은 CNT와 고분자의 복합체로 형성된 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제2 요철 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 전극 활물질층에 마이크로웨이브를 조사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법
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에너지 저장소자용 전극 구조물에 있어서,표면에 제1 요철 패턴 및 상기 제1 요철 패턴 위에 형성된 제2 요철 패턴을 갖는 고분자 기판(20); 및 상기 고분자 기판 위에 형성되고 상기 제1 및 제2 요철 패턴을 갖는 전극 활물질층(40);을 포함하며,상기 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전극 구조물
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에너지 저장소자용 전극 구조물에 있어서,표면에 제1 요철 패턴 및 상기 제1 요철 패턴 위에 형성된 제2 요철 패턴을 갖는 고분자 기판(20);상기 고분자 기판 위에 형성되고 상기 제1 및 제2 요철 패턴을 갖는 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막(30); 및 상기 CNT 네트워크 박막 위에 형성되고 상기 제1 및 제2 요철 패턴을 갖는 전극 활물질층(40);을 포함하며,상기 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전극 구조물
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에너지 저장소자에 있어서, 양극으로 기능하는 제1 전극 구조물;음극으로 기능하는 제2 전극 구조물; 및 상기 제1 및 제2 전극 구조물 사이에 개재된 전해질층;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 구조물 중 적어도 하나는 상기 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자
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