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전도성 양자점을 제조하는 단계 (단계 1); 전도성 양자점을 기판에 코팅하는 단계 (단계 2); 전도성 양자점간의 리간드를 교환하는 단계 (단계 3); 상기 전도성 양자점이 코팅된 기판을 불활성 분위기에서 40~70 ℃의 온도로 저온 열처리하는 단계 (단계 4); 및 상기 저온 열처리가 수행된 기판을 리간드로 재봉지하는 단계(단계 5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2 내지 단계 5를 반복하여 수행함으로써 양자점 필름의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 고전도성 자점 필름의 제조방법
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3
제 1항에 있어서, 상기 단계 1은옥타데켄(octadecene, ODE)에 초산납삼수화물(Pb(C2H3O2)2·3H2O)과 올레익산을 혼합하고 진공상태에서 가열하는 단계 (단계 A);상기 단계 a의 용액 및 1M TOP-Se(Trioctylphosphine-Se)을 실온에서 혼합하는 단계 (단계 B);1, 2-헥사데칸디올(1, 2-hexadecanediol)과 ODE을 혼합 후 상기 단계 B의 용액을 주입하는 단계 (단계 C);냉각된 톨루엔으로 상기 단계 C에서 제조된 혼합용액을 급속냉각 하는 단계 (단계 D); 부탄올과 메탄올의 혼합용액에 상기 단계 D 용액을 주입하여 결정화하는 단계 (단계 E); 및상기 단계 E를 반복수행하는 단계 (단계 F)를 포함하여 셀레늄화납(PbSe) 양자점을 제조하는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1은옥타데켄(octadecene, ODE)에 초산납삼수화물(Pb(C2H3O2)2·3H2O)과 올레익산을 혼합하고 진공상태에서 가열하는 단계 (단계 a);상기 단계 a의 용액 및 옥타데켄(octadecene, ODE)을 혼합 후 비스트리메틸실리설파이드(bis(trimethylsily)sulfide)를 주입하는 단계 (단계 b);냉각된 톨루엔으로 상기 단계 b 용액을 급속냉각 하는 단계 (단계 c); 부탄올과 메탄올의 혼합용액에 상기 단계 c 용액을 주입하여 결정화하는 단계 (단계 d); 및상기 단계 d를 반복수행하는 단계 (단계 e)를 포함하여 황화납(PbS) 양자점을 제조하는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 코팅방법은 딥핑(dipping), 스프레이, 드롭캐스팅, 자기조립, 스핀코팅, 닥터블레이드, 프린팅 및 스퍼터링으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 3에서 교환되는 리간드 물질은 양자점에 강하게 결합될 수 있고, 탄소수가 3개 이하인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 교환되는 리간드 물질은 탄소수가 1개 또는 2개인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 교환되는 리간드 물질은 에탄티올(ethanethiol) 또는 하이드록실아민인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 3에서 리간드 교환은 딥핑(dipping)방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름의 제조방법
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11
삭제
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제 1항의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름
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제 12항에 있어서, 상기 양자점은 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름
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14
제 12항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe, Si, Ge 및 이의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 1종으로 제조되는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름
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15
제 12항에 있어서, 상기 고전도성 양자점의 직경은 1~10 nm 인 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름
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제 12항에 있어서, 상기 고전도성 양자점 필름은 전극사이에 2차원 퍼콜레이션(percolation)을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 고전도성 양자점 필름
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제 12항에 따른 고전도성 양자점 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 12항에 따른 고전도성 양자점 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
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