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타이타늄에 경질층을 형성하는 방법 및 이에 의해 형성된 경질층을 갖는 타이타늄 합금

  • 기술번호 : KST2015130060
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 타이타늄의 표면에 저비용으로 우수하면서도 경사기능의 특성을 갖는 경질층을 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 경질층의 형성 방법은, (a) 열처리 장치에 타이타늄을 투입하고 배기하여 기압이 10-4 torr 이하가 되도록 유지하는 단계; (b) 상기 타이타늄을 730 ~ 800℃에서 10분 ~ 5시간 동안 가열하여 상기 타이타늄의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 전처리 단계; (c) 상기 열처리 장치에 질소, 산소, 탄소 중에서 선택된 1종 이상의 가스를 주입하고 상기 타이타늄을 740 ~ 950℃에서 30분 ~ 20시간 동안 가열하여, 상기 타이타늄 합금의 표면에 상기 가스의 농도 구배를 갖는 경질층이 형성되도록 하는 단계; 및 (d) 상기 타이타늄을 냉각시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL C22C 14/00 (2006.01) C23C 8/24 (2006.01)
CPC C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01)
출원번호/일자 1020120029717 (2012.03.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1418774-0000 (2014.07.07)
공개번호/일자 10-2013-0107721 (2013.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동근 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 이용태 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 정현경 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0234481-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0291504-53
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0621512-07
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1002477-76
5 보정요구서
Request for Amendment
2013.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0139438-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1112217-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1112216-79
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1109256-13
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0132531-62
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0393091-26
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0393089-34
12 등록결정서
Decision to grant
2014.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0422747-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
타이타늄의 표층에 경질층을 형성하는 방법으로,(a) 열처리 장치에 타이타늄을 투입하고 배기하여 기압이 10-4 torr 이하가 되도록 유지하는 단계;(b) 상기 타이타늄을 730 ~ 800℃에서 10분 ~ 5시간 동안 유지하여 상기 타이타늄의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 전처리 단계;(c) 상기 열처리 장치에 질소, 산소, 탄소 중에서 선택된 1종 이상의 가스를 주입하고 상기 타이타늄을 740 ~ 950℃에서 30분 ~ 20시간 동안 유지하여, 상기 타이타늄 합금의 표면에 상기 가스의 농도 구배를 갖는 경질층이 형성되도록 하는 단계; 및(d) 상기 타이타늄을 냉각시키는 단계를 포함하고, 상기 냉각은 500 ~ 800℃에서 30분 ~ 30 시간 동안 유지하는 시효(aging) 단계를 포함하는 스텝냉각으로 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기압은 5×10-5 torr 이하인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 10분 ~ 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 온도가 상기 (b) 단계의 온도에 비해 높을 수 있는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 740 ~ 850℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계 후에, 추가로 오버레이어(over-layer) 코팅법을 이용하여 1층 이상의 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 가스는 산소와 질소, 탄소와 질소, 또는 탄소와 산소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1 항 내지 제 5 항, 제 8 항, 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타이타늄은 순 타이타늄 또는 타이타늄 합금인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.