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P-타입 옥사이드(P-type Oxide)로 변환될 수 있는 금속 또는 전도성 고분자 물질, 또는 그래핀 옥사이드(graphene oxide)나 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)를 포함한 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 기판 상에 형성하는 단계;상기 변이층 상에 도전 배선을 형성하는 단계;상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계;물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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P-타입 옥사이드(P-type Oxide)로 변환될 수 있는 금속 또는 전도성 고분자 물질, 또는 그래핀 옥사이드(graphene oxide)나 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)를 포함한 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 기판 상에 형성하는 단계;상기 변이층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 상에 도전 배선을 형성하는 단계;상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계;물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계는, 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하는 대신, 자외선, 열, 또는 용매에 의한 화학 반응을 통해 상기 변이층을 산화 또는 환원시킴으로써 투명 전극으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 산소 이온 빔인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 플라즈마 또는 이온 빔인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 변이층을 형성하는 단계는 기판 전처리 단계를 더 포함하고,상기 기판 전처리 단계는, 상기 기판 상에 상기 변이층을 형성하기 전 기판 표면에 플라즈마(plasma)를 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 도전 배선은, 전도성 금속 또는 이들의 합금, 전도성 금속 산화물, 전도성 폴리머, 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 유기전도체 물질, 전도성 금속으로 이루어진 나노 와이어, 전도성 탄소계 나노 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 고분자는 유리전이점이 180℃ 이상인 내열성 수지인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법
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