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내부로 배출 가스를 통과시키며 촉매 반응을 이용하여 배출 가스에 포함된 유해 기체를 저감시키는 촉매;배출 가스가 도입되는 상기 촉매의 전방에 위치하고 전원부에 연결되는 구동 전극; 및배출 가스가 빠져나가는 상기 촉매의 후방에 위치하는 접지 전극을 포함하며,상기 구동 전극과 상기 촉매 사이에 제1 간격이 형성되고,상기 촉매와 상기 구동 전극 사이의 전위 차에 의해 상기 제1 간격에 플라즈마가 생성되어 유해 기체를 저감시키는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항에 있어서,상기 촉매는 상기 접지 전극과 접촉하여 상기 접지 전극과 전기적으로 연결되는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항에 있어서,상기 촉매와 상기 접지 전극 사이에 제2 간격이 형성되고,상기 촉매와 상기 접지 전극 사이의 전위 차에 의해 상기 제2 간격에 플라즈마가 생성되어 유해 기체를 저감시키는 플라즈마-촉매 반응기
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제3항에 있어서,상기 촉매는 제3 간격을 사이에 두고 위치하는 제1 촉매와 제2 촉매를 포함하고,상기 제1 촉매와 상기 제2 촉매 사이의 전위 차에 의해 상기 제3 간격에 플라즈마가 생성되어 유해 기체를 저감시키는 플라즈마-촉매 반응기
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제4항에 있어서,상기 제1 촉매와 상기 제2 촉매는 다른 종류의 촉매로 구성되어 서로 다른 성분의 유해 기체를 처리하는 플라즈마-촉매 반응기
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제5항에 있어서,상기 제1 촉매와 상기 제2 촉매 중 어느 하나는 삼원 촉매이고, 다른 하나는 일산화탄소와 탄화수소 및 질소산화물 중 적어도 하나를 저감시키는 촉매로 구성되는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매는 담체 및 상기 담체 표면에 부착된 전도성 촉매층을 포함하며,상기 담체는 알루미나(Al2O3), 카본, 제올라이트, 실리카(SiO2), 및 실리콘 카바이드(SiC)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 전도성 촉매층은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 및 오스뮴(Os)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 구동 전극과 상기 접지 전극은 일정 두께를 가지며 적어도 하나의 개구부가 형성된 금속판으로 이루어지는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 구동 전극과 상기 접지 전극은 금속 와이어가 종횡으로 엮어진 메쉬부를 포함하는 플라즈마-촉매 반응기
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 구동 전극은 상기 전원부로부터 정현파 또는 펄스형 고전압을 인가받으며, 상기 촉매의 온도가 상승한 이후 전압 인가가 중지되는 플라즈마-촉매 반응기
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유해 기체를 포함하는 배출 가스의 진행 방향을 따라 구동 전극, 제1 간격, 촉매, 및 접지 전극이 순차적으로 위치하는 플라즈마-촉매 반응기를 이용한 유해 기체 처리 방법에 있어서,상기 플라즈마-촉매 반응기를 배출 가스 경로에 위치시켜 반응을 준비하는 제1 단계;상기 구동 전극에 전압을 인가하여 상기 제1 간격에 플라즈마를 생성함으로써 플라즈마 반응을 이용해 유해 기체를 저감시킴과 동시에 상기 촉매에 전기장을 형성하여 유도 가열과 저항 가열을 일으키는 제2 단계; 및상기 구동 전극의 전압 인가를 중지시키고, 촉매 반응을 이용하여 유해 기체를 저감시키는 제3 단계를 포함하는 플라즈마-촉매 반응기를 이용한 유해 기체 처리 방법
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제11항에 있어서,상기 촉매와 상기 접지 전극 사이에 제2 간격이 형성되고,상기 제2 단계에서 상기 제1 간격과 상기 제2 간격에 플라즈마가 동시에 생성되는 플라즈마-촉매 반응기를 이용한 유해 기체 처리 방법
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제12항에 있어서,상기 촉매는 제3 간격을 두고 위치하는 제1 촉매와 제2 촉매를 포함하고,상기 제2 단계에서 상기 제1 간격과 상기 제2 간격 및 상기 제3 간격에 플라즈마가 동시에 생성되는 플라즈마-촉매 반응기를 이용한 유해 기체 처리 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 촉매와 상기 제2 촉매는 다른 종류의 촉매로 구성되어 상기 제3 단계에서 서로 다른 성분의 유해 기체를 순차적으로 처리하는 플라즈마-촉매 반응기를 이용한 유해 기체 처리 방법
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