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금속배선이 표면상에 매립된 유연기판을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 유연기판의 금속배선이 노출된 표면상으로 유기태양전지를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하되,상기 단계 1의 금속배선이 표면상에 매립된 유연기판은기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 a);상기 단계 a의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 b);상기 단계 b의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 매립된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 c); 및상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 d)를 포함하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 a의 희생층은 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌 글라이콜 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자를 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 a의 희생층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 감광성 고분자(포토레지스트, PR) 물질인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합물을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 c의 경화성 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 단계 d의 경화는 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 건조경화, 화학반응경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 또는 냉각경화인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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금속배선이 표면상에 매립된 유연기판을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 유연기판의 금속배선이 노출된 표면상으로 유기태양전지를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하되, 상기 단계 1의 금속배선이 표면상에 매립된 유연기판은기판 표면에 플라즈마를 조사하여 기판을 전처리하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 전처리된 기판상에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 b);상기 단계 b에서 금속 배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 매립된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 제조된 고분자 층을 단계 a의 기판과 분리시키는 단계(단계 d);를 포함하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 단계 a의 플라즈마는 Ar, N2O, CF4, CH4, C2H2, H2O, C2H5OH, 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 및 테트라메틸실란(tetramethylsilane, TMS)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플라즈마인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 단계 a에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 45 내지 150 °인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 단계 a에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 45 내지 90 °인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 단계 a에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각이 90 내지 150 °인 경우, 상기 단계 c에서 경화성 고분자를 코팅하기 전, 금속 배선이 형성된 기판 표면에 추가로 플라즈마를 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 하는 유기태양전지의 제조방법
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제22항에 있어서, 전처리된 기판 표면에 추가로 플라즈마가 조사된 상기 금속 배선이 형성된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 0 내지 90 °인 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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